在电源中使用快速恢复二极管 MOSFET
“超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主...
日期：2024-06-14
使用高级 SPICE 模型模拟 MOSFET 电流-电压特性
绘制漏极电流与漏极电压的关系图 我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS...
日期：2024-06-11
东芝扩展U-MOSX-H系列80V N沟道功率MOSFET产品线，助力降低电源功耗
通信基站是现代通信系统中的重要组成部分,数据中心也和网络通讯一样逐渐成为现代社会基础设施的一部分,对很...
日期：2024-06-05
Qorvo SiC FET与SiC MOSFET优势对比
碳化硅（SiC）如何成为功率电子市场一项“颠覆行业生态”的技术。如图1所示，与硅（Si）材料相比，SiC具有...
日期：2024-05-31
ShinDengen - 符合AEC-Q101、高耐压900V MOSFET发售
新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号，...
日期：2024-05-24
ShinDengen - 用于防止极性反接和反向电流的High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC发售
新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合，可作为...
日期：2024-05-24
MOSFET 开关损耗简介
MOSFET 的工作方式可分为两种基本模式：线性模式和开关模式。在线性模式下，晶体管的栅源电压足以使电流流...
日期：2024-04-29
xEV 主逆变器电源模块中第四代 SiC MOSFET 的短路测试
xEV 应用的应用示例。由于 SiC 功率半导体在电动动力系统中的优势已得到证实，SiC 功...
日期：2024-04-26
功率 MOSFET 特性双脉冲测试
IEC 60747-9 标准以 IGBT 为例解释了相应的测试设置和测量结果。正如预期的那样，没有...
日期：2024-03-07
MOSFET工作原理和特点
MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用...
日期：2024-03-04
MOSFET 共源放大器的频率响应
之前，我们了解了MOSFET 共源放大器的大信号和小信号行为。这些分析虽然有用，但仅适...
日期：2024-02-29
MOSFET共源放大器简介
放大器基本上是每个模拟电路的一部分。MOSFET 是出色的放大器件，这就是为什么有多种...
日期：2024-02-22
什么是耗尽型 MOSFET？
金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）比结型 FET 具有更大的商业重要性。MOSFET 是具有多种功能的三端器...
日期：2024-01-18
续流二极管的存储电荷对功率 MOSFET 导通损耗的影响
两种损失 原则上，功率半导体有两种损耗：通态损耗和开关损耗。后者包括开通和关断...
日期：2024-01-17
MOSFET 的小信号特性在模拟 IC 设计的作用
什么是小信号分析？ 当我们说“小信号”时，我们到底是什么意思？为了定义这一点，...
日期：2024-01-15
SiC MOSFET 满足高效、高频应用的要求
SiC MOSFET 的优点 SiC MOSFET 的根本优势源自碳化硅材料本身。与传统的硅基半导体...
日期：2024-01-08
适用于最高电压?Class Si IGBT 和 SiC MOSFET 的封装
电力电子及其效率的重要性也随之增加。为了最大限度地减少电力电子设备中的能量损失，...
日期：2023-12-25
车级 MOSFET 采用新型 TO 无引线封装
车级 MOSFET 采用新型 TO 无引线封装，旨在优化两轮和三轮车辆以及其他轻型车辆、汽车 BLDC 电机和电动汽车...
日期：2023-12-15
基本 MOSFET 恒流源
恒流源在电路分析练习和网络定理中占有重要地位，然后它们似乎或多或少消失了。。。除...
日期：2023-11-22
冷却 MOSFET 以实现动态系统的最佳性能
MOSFET 在静态状态下提供最大性能，并且在此配置中其功率效率相当高。然而，如果以动...
日期：2023-11-10
了解 MOSFET 通态漏源电阻
分立 MOSFET 数据表中最重要的规格之一是漏源通态电阻，缩写为 R DS (on)。这个 R DS ...
日期：2023-11-02
模拟 IC 设计的 MOSFET 结构和操作
MOSFET结构 MOS 晶体管是一种四端器件，由栅极 (G)、漏极 (D)、源极 (S) 和体 (B) ...
日期：2023-11-02
IGBT / MOSFET 的基本栅极驱动光耦合器设计
本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦合器 IC 的栅极驱动器功率和热耗散的主题。栅极驱动...
日期：2023-10-10
功率 MOSFET、其电气特性定义和使用说明
本应用笔记介绍了功率 MOSFET、其电气特性定义和使用说明。介绍了功率MOSFET的破坏机...
日期：2023-10-10
MOSFET/IGBT 驱动器理论与应用
MOSFET 和 IGBT 技术 由于不存在少数载流子传输，MOSFET 可以以更高的频率进行开关...
日期：2023-10-08
功率 MOSFET、其电气特性定义
本应用笔记介绍了功率 MOSFET、其电气特性定义和使用说明。介绍了功率MOSFET的破坏机...
日期：2023-09-20
适用于热插拔应用的具有最低导通电阻的高效 MOSFET
热插拔是指将电子设备插入带电电源；这可能会损坏相关电子设备。电容性负载可能会产生...
日期：2023-09-15
所有高压 MOSFET 和 IGBT SPICE 模型都一样吗？
如果有足够的时间，大多数工程师都有正确的意图。作为一名工程师，您多久想要了解电路...
日期：2023-09-05
功率 MOSFET 数据表参数定义
本应用笔记介绍了 IXYS 功率 MOSFET 数据表中使用的参数定义。本文件介绍了基本的额定...
日期：2023-08-30
高电流 MOSFET：电源设计的必需品
在当今的汽车和工业电子领域，低压 MOSFET (<100 V) 对高功率的需求不断增加。电机驱动等应用现在需要千...
日期：2023-08-11
