Pan Jit - 强茂推出全新600V和650V Super Junction MOSFET 系列产品
应用于Power Supply Unit (PSU)系统且拥有高效率和高质量的性能 强茂新推出第一代Super Junction MOSFET...
日期:2022-09-20
深入剖析高速SiC MOSFET的开关行为
摘 要 本文探讨了影响高速SiC MOSFET开关特性的关键因素,包括器件特性、工作条件...
日期:2022-08-30
寻根究底:PFC电路旁路二极管作用及MOSFET常见失效模式
中大功率的ACDC电源都会采用有源功率因数校正PFC电路来提高其功率因数,减少对电网的...
日期:2022-08-19
60W辅助电源1700V SiC MOSFET
辅助电源是电机驱动、光伏逆变器和 UPS 系统等工业应用的重要组成部分。高压直流总线...
日期:2022-08-04
Toshiba东芝推出五款新型MOSFET栅极驱动IC,助力移动电子设备小型化
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,在其TCK42xG系列MOSFET栅极驱动IC产品中新增五款适...
日期:2022-07-15
Nexperia推出用于自动安全气囊的专用MOSFET (ASFET)新产品组合
在LFPAK封装中采用新型SOA(安全工作区) Trench技术,可提供出色的瞬态线性模式性能,为设计人员带来体积...
日期:2022-06-23
为电机驱动提供动力的功率MOSFET
功率MOSFET是最常见的功率半导体,主要原因是因为其栅极驱动需要的功率小、以及快速的切换速度,使其成为电...
日期:2022-06-20
保护IGBT和MOSFET免受ESD损坏
摘要 功率MOSFET用户都非常熟悉“静电敏感器件”警告标志。然而,越熟悉越容易大意...
日期:2022-06-10
电源设计说明:线性方案中的 SiC MOSFET
SiC MOSFET 在开关状态下工作。然而,了解其在线性状态下的行为是有用的,这可能发生...
日期:2022-06-08
SiC设计干货分享(一):SiC MOSFET驱动电压的分析及探讨
随着制备技术的进步,在需求的不断拉动下,碳化硅(SiC)器件与模块的成本逐年降低。...
日期:2022-06-08
耐用性更高的新型沟槽型功率MOSFET
在线性模式供电的电子系统中,功率 MOSFET器件被广泛用作压控电阻器,电磁干扰 (EMI) 和系统总体成本是功率...
日期:2022-05-25
ROHM罗姆第4代SiC MOSFET在电动汽车电控系统中的应用及其优势
近年来,为了实现“碳中和”等减轻环境负荷的目标,需要进一步普及下一代电动汽车(xEV),从而推动了更高...
日期:2022-05-23
英飞凌推出1200 V CoolSiC MOSFET M1H芯片,以增强特性进一步提高系统能效
英飞凌科技股份公司近日发布了一项全新的CoolSiC?技术,即CoolSiC? MOSFET 1200 V M1H。这款先进的碳化硅(...
日期:2022-05-11
如何为电机驱动选择合适的 MOSFET
汽车 OEM 正在迁移到 BLDC,以zui大限度地提高效率和可靠性。本文着眼于工程师在设计...
日期:2022-04-25
如何为电机驱动选择合适的MOSFET
汽车 OEM 正在迁移到 BLDC,以zui大限度地提高效率和可靠性。本文着眼于工程师在设计过程中应考虑的重要参...
日期:2022-04-21
DC/DC开关控制器的MOSFET选择
DC/DC开关控制器的 MOSFET 选择是一个复杂的过程。仅仅考虑 MOSFET 的额定电压和电流...
日期:2022-03-17
详细分析MOSFET开关过程米勒效应的影响
来自人体、环境甚至电子设备内部的静电对于精密的半导体芯片会造成各种损伤,例如:穿透元器件内部薄的绝缘...
日期:2022-03-11
从硅过渡到碳化硅,MOSFET的结构及性能优劣势对比
近年来,因为新能源汽车、光伏及储能、各种电源应用等下游市场的驱动,碳化硅功率器件取得了长足发展。更快...
日期:2022-02-23
SiC MOSFET替代Si MOSFET,自举电路是否适用?
自举式悬浮驱动电路可以极大的简化驱动电源的设计,只需要一路电源就可以驱动上下桥臂两个开关管的驱动,可...
日期:2022-01-17
东芝推出用于IGBT/MOSFET栅极驱动的薄型封装高峰值输出电流光耦
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出采用薄型SO6L封装的两款光耦---“TLP5705H”和...
日期:2021-12-01
电源IC外置MOSFET调整电路
MOSFET栅极驱动调整电路:R16、R17、R18、D17 “为了优化外置MOSFET Q1的开关工作...
日期:2021-11-09
MOSFET器件选型的3大法则
俗话说“人无远虑必有近忧”。对于电子设计工程师,在项目开始之前、器件选型之初,就要做好充分考虑,选择...
日期:2021-10-27
低功率范围内的MOSFET表征
半导体行业一直在寻找新型特殊材料、介电解决方案和新型器件形状,以进一步、再进一步缩小器件尺寸。例如,...
日期:2021-10-23
Microchip推出首款完全可配置的碳化硅MOSFET数字栅极驱动器,可将开关损耗降低50%,同时加快产品上市时间,现已投入生产
随着对电动公共汽车和其他电气化重型运输车辆的需求增加,以满足更低的碳排放目标,基于碳化硅的电源管理解...
日期:2021-09-24
功率MOSFET的正向导通等效电路
一、功率MOSFET的正向导通等效电路 1)等效电路: 2)说明: 功率 MOSFE...
日期:2021-08-26
Maxim发布3相MOSFET栅极驱动器,可延长电池寿命并将元件数量减半
TRINAMIC MoTIon Control GmbH & Co. KG (Maxim Integrated Products, Inc (NASDAQ: MXIM)子公司...
日期:2021-08-17
如何根据性能指标来选择正确的MOSFET
随着制造技术的发展和进步,系统设计人员必须跟上技术的发展步伐,才能为其设计挑选 合适的电子器件。MOS...
日期:2021-08-17
适用于热插拔的Nexperia新款特定应用MOSFET (ASFET)将SOA增加了166%,并将PCB占用空间减小80%
基础半导体器件领域的 Nexperia今日宣布推出新款80 V和100 V ASFET,新器件增强了SOA性能,适用于5G电信系...
日期:2021-08-09
三极管和MOSFET选型规范
1. 三极管和MOSFET器件选型原则 1.1 三极管及MOSFET分类简介 类型 类型细分 应用场景 ...
日期:2021-07-20
用碳化硅MOSFET设计一个双向降压-升压转换器
电池供电的便携设备越来越多,在今日生活中扮演的角色也越来越重要。这个趋势还取决于...
日期:2021-07-05