如何选择电源系统开关控制器的MOSFET?
DC/DC 开关控制器的 MOSFET 选择是一个复杂的过程。仅仅考虑 MOSFET 的额定电压和电流并不足以选择到合适的...
日期:2023-06-09
采用增强互连封装技术的1200 V SiC MOSFET单管设计高能效焊机
逆变焊机通常是通过功率模块解决方案设计来实现更高输出功率,从而帮助降低节能焊机的成本、重量和尺寸[1]...
日期:2023-06-09
MOSFET的基本工作原理和特性
MOS栅结构是MOSFET的重要组成部分,一个典型的N沟道增强型结构示意图如图1所示。其中栅极、源极和漏极位于...
日期:2023-06-05
三极管用饱和Rce,而MOSFET用饱和Vds?
MOSFET和三极管,在ON 状态时,MOSFET通常用Rds,三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况,三...
日期:2023-05-26
选用MOSFET作为控制开关的应用
一般情况下普遍用于高端驱动的MOS,导通时需要是栅极电压大于源极电压,而高端驱动的MOS管导通时源极电压与...
日期:2023-05-26
ROHM开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)新推出“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”共13款Nch MOSFET*1...
日期:2023-05-16
开关管MOSFET的功耗分析及优化
一、引言MOSFET作为主要的开关功率器件之一,被大量应用于模块电源。了解MOSFET的损耗组成并对其分析,有利...
日期:2023-05-10
通过功率 MOSFET 技术创新加速提高效率
MOSFET 技术自问世以来就被广泛认为是电源管理电路中开关的绝佳选择。自 20 世纪 70 年代后期开始商用,垂...
日期:2023-05-08
开关管MOSFET的功耗分析和功耗优化
一、引言MOSFET作为主要的开关功率器件之一,被大量应用于模块电源。了解MOSFET的损耗组成并对其分析,有利...
日期:2023-05-05
如何为DC/DC开关控制器,选择合适的MOSFET
DC/DC 开关控制器的 MOSFET 选择是一个复杂的过程。仅仅考虑 MOSFET 的额定电压和电流...
日期:2023-05-05
MOSFET在模块电源中的应用
本文主要阐述了MOSFET在模块电源中的应用,分析了MOSFET损耗特点,提出了优化方法;并且阐述了优化方法与EMI...
日期:2023-04-28
开关电源的MOSFET选择
DC/DC开关控制器的MOSFET选择是一个复杂的过程。仅仅考虑MOSFET的额定电压和电流并不足以选择到合适的MOSFE...
日期:2023-04-27
MOSFET的16种参数
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日期:2023-04-19
MOSFET栅极驱动的优化设计
MOS管驱动电阻怎么选择,给定频率,MOS管的Qg和上升沿怎么计算用多大电阻首先得知道输入电容大小和驱动电压大...
日期:2023-04-14
串联连接的 MOSFET 可提高电压和功率处理能力
此设计理念提供了一种简单、经过验证、可靠且稳健的方法来为大型电容器组充电,使用串...
日期:2023-03-22
使用 MOSFET 作为恒温加热器
图 1中的 MOSFET在恒温电路中用作加热器和温度传感器。图 1将 MOSFET 用作恒温加热器的电路图。该电路可用...
日期:2023-03-21
ST - 车规MOSFET技术确保功率开关管的可靠性和强电流处理能力
如今,出行生态系统不断地给汽车设计带来新的挑战,特别是在电子解决方案的尺寸、安全...
日期:2023-03-09
MOSFET 驱动器可防止击穿故障
栅极感应自适应死区时间控制 (ADTC) 允许 Renesas 汽车级 ISL784x4 N 沟道 MOSFET 驱...
日期:2023-02-17
SiC MOSFET:一种经济高效且可靠的大功率解决方案
碳化硅 (SiC) 已被证明是高功率和高电压器件的理想材料。但是,设备的可靠性极其重要...
日期:2023-02-16
MOSFET 电流检测
介绍 该电路显示了“镜像”电流感测 MOSFET 的方法。完全导电的 MOSFET 是电阻性的...
日期:2023-02-03
通过转向1700V SiC MOSFET,无需考虑功率转换中的权衡问题
高压功率系统设计人员努力满足硅MOSFET和IGBT用户对持续创新的需求。基于硅的解决方案...
日期:2022-12-16
东芝开发带嵌入式肖特基势垒二极管的低导通电阻高可靠性SiC MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation)和东芝株式会社(T...
日期:2022-12-14
1200 V SiC MOSFET 的体二极管可靠性研究(SiC MOSFET 的体二极管测试)
在 PCT 期间,当 DUT 开启时,由于电流从漏极流向源极,DUT 温度会升高(图 1a)。当 ...
日期:2022-12-02
IDC - 谏早电子开发的高压Nch MOSFET
半导体制造商谏早电子有限公司宣布,开发高压 Nch MOSFET「INK013EAP1」。 产品是响应开发请求而开发的...
日期:2022-11-23
IDC - 谏早电子开发的高压Nch MOSFET「INK013EAP1」 开关电源启动电路的理想选择!
半导体制造商谏早电子有限公司宣布,开发高压 Nch MOSFET「INK013EAP1」。 新产品是响应开发请求而开发的...
日期:2022-11-17
干货 | 详谈米勒效应对MOSFET开关过程的危害
MOSFET的原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体),FET(Field Eff...
日期:2022-11-14
MOSFET的开关行为:工作原理和过程
昨天有人留言说想要知道MOS的开关工作原理和过程,这个我们通常没有去深入了解,只知...
日期:2022-10-31
使用MOSFET和晶体管构建一个100W RMS输出功率放大器电路
功率放大器是音频电子器件的一部分。它旨在最大化给定输入信号的功率f的大小。在声音...
日期:2022-10-29
开关电源何时选择BJT优于MOSFET?
MOSFET已经是是开关电源领域的绝对主力器件。但在一些实例中,与MOSFET相比,双极性结...
日期:2022-10-28
P沟道MOSFET的基本概念及主要类型
MOSFET是一种三端、电压控制、高输入阻抗和单极器件,是不同电子电路中必不可少的元件。一般来说,这些器件...
日期:2022-09-23