Toshiba - 东芝扩展U-MOSX-H系列80V N沟道功率MOSFET产品线,助力降低电源功耗

时间:2024-06-05
  通信基站是现代通信系统中的重要组成部分,数据中心也和网络通讯一样逐渐成为现代社会基础设施的一部分,对很多产业都产生了积极影响。其中,开关电源起着不可忽视的作用,它凭借稳定、可靠、高效的供电保证了整个通信基站和数据中心的正常运行。
  东芝推出的三款80V N沟道功率MOSFET扩展产品均采用其一代“U-MOSX-H系列”工艺,适用于数据中心和通信基站等工业设备的开关电源(高效AC-DC转换器,高效DC-DC转换器等)、电机控制设备(电机驱动器等)。新产品采用表面贴装型SOP Advance(N)封装,“TPH3R008QM”漏源导通电阻(值)为3mΩ,“TPH6R008QM”为6mΩ,“TPH8R808QM”为8.8mΩ。
  新产品降低了品质因数(FOM:表示为导通电阻×电荷特性),有助于降低设备功耗。以TPH3R008QM为例,与现有产品TPH4R008NH相比,其品质因数,即漏源导通电阻与总栅极电荷乘积约下降48%,漏源导通电阻与栅极开关电荷乘积约下降16%,漏源导通电阻与输出电荷乘积约下降33%。
  产品主要特性如下
   一代工艺U-MOSX-H系列
   低导通电阻:
  TPH3R008QM RDS(ON)=3mΩ(值)(VGS=10V)
  TPH6R008QM RDS(ON)=6mΩ(值)(VGS=10V)
  TPH8R808QM RDS(ON)=8.8mΩ(值)(VGS=10V)
   高额定结温:Tch(值)=175°C

 

  主要规格


上一篇:圣邦微电子推出带IC兼容接口的高压侧或低压侧测量双向电流和功率监控器 SGM832A
下一篇:共模半导体推出40V,3ppm/℃低噪声、高精度基准电压GM7400,可替代ADI的ADR01等产品

免责声明: 凡注明来源本网的所有作品,均为本网合法拥有版权或有权使用的作品,欢迎转载,注明出处。非本网作品均来自互联网,转载目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责。

相关技术资料