RK7002BMHZGT116 MOSFET

RK7002BMHZGT116

MOSFET Nch 60V Vds 0.25A 3Rds(on) SOT-23

Nch 60V 250mA Small Signal MOSFET

Features RK7002BMHZGT116

1) Very fast switching

2) Ultra low voltage drive (2.5V drive)

3) ESD protection up to 2kV (HBM)

4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.

5) Halogen Free.

Application RK7002BMHZGT116

Switching circuits 

Low-side loadswitch 

Relay driver

Absolute maximum ratings (Ta = 25°C ,unless otherwise specified)

Parameter Symbol Value Unit

Drain - Source voltage VDSS 60 V

Continuous drain current ID ±250 mA

Pulsed drain current IDP *1 ±1 A

Gate - Source voltage VGSS ±20 V

Power dissipation PD *2 350 mW PD *3 200 mW

Junction temperature Tj 150 ℃

Operating junction and storage temperature range Tstg -55 to +150 ℃

型号: RK7002BMHZGT116

制造商: ROHM Semiconductor 

产品种类: MOSFET 

RoHS:  无铅环保  

技术: Si 

安装风格: SMD/SMT 

封装 / 箱体: SOT-23-3 

通道数量: 1 Channel 

晶体管极性: N-Channel 

Vds-漏源极击穿电压: 60 V 

Id-连续漏极电流: 250 mA 

Rds On-漏源导通电阻: 1.7 Ohms 

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V 

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V 

最大工作温度: + 150 C 

Pd-功率耗散: 350 mW 

配置: Single 

通道模式: Enhancement 

资格: AEC-Q101 

封装: Cut Tape 

封装: Reel 

晶体管类型: 1 N-Channel  

商标: ROHM Semiconductor  

下降时间: 28 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 5 ns  

工厂包装数量: 3000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 18 ns  

典型接通延迟时间: 3.5 ns  

零件号别名: RK7002BMHZG