STP75NF20 MOSFET 晶体管

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STP75NF20

N-channel 200V - 0.028Ω - 75A - D2PAK - TO-220 - TO-247  Low gate charge STripFET™ Power MOSFET


Description  STP75NF20

This Power MOSFET series realized with  STMicroelectronics unique STripFET™ process  has specifically been designed to minimize input  capacitance and gate charge. It is therefore  suitable as primary switch in advanced highefficiency  isolated DC-DC converters.


Applications

■ Switching application


General features

■ Exceptional dv/dt capability

■ Low gate charge

■ 100% Avalanche tested

型号: STP75NF20 

制造商: STMicroelectronics 

产品种类: MOSFET 

RoHS:  无铅环保  

技术: Si 

安装风格: Through Hole 

封装 / 箱体: TO-220-3 

通道数量: 1 Channel 

晶体管极性: N-Channel 

Vds-漏源极击穿电压: 200 V 

Id-连续漏极电流: 75 A 

Rds On-漏源导通电阻: 34 mOhms 

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V 

最小工作温度: - 50 C 

最大工作温度: + 150 C 

Pd-功率耗散: 190 W 

配置: Single 

通道模式: Enhancement 

商标名: STripFET 

封装: Tube 

高度: 9.15 mm  

长度: 10.4 mm  

系列: STP75NF20  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 4.6 mm  

商标: STMicroelectronics  

正向跨导 - 最小值: 40 S  

下降时间: 29 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 33 ns  

工厂包装数量: 50  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 75 ns  

典型接通延迟时间: 53 ns  

单位重量: 330 mg 


型号/规格

STP75NF20

品牌/商标

ST(意法半导体)

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

Tube

Id-连续漏极电流

: 75 A

Rds On-漏源导通电阻

: 34 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压

: 20 V

晶体管极性

: N-Channel