TK3R1E04PL,S1X MOSFET Toshiba

TK3R1E04PL,S1X

MOSFET N-Ch 40V 4670pF 63.4nC 128A 87W Silicon N-channel MOS (U-MOS IX-H)

Absolute Maximum Ratings (Note) (T  a = 25   unless otherwise specified) TK3R1E04PL,S1X

TK3R1E04PL,S1X Characteristics  Drain-source voltage  Gate-source voltage  Drain current (DC)  Drain current (DC)  Drain current (pulsed)  Power dissipation  Single-pulse avalanche energy  Single-pulse avalanche current  Channel temperature  Storage temperature  Mounting torque  (T  c = 25    )  (Silicon limit)  (t = 100  μs)  (T  c = 25    )  (Note 1)  (Note 1), (Note 2)  (Note 1)  (Note 3)  (Note 3)  Symbol VDSS VGSS IDIDIDP PD EAS IAS Tch Tstg  TOR  Rating  40 ±20  100  128  400  87  35  100  175  -55 to 175  0.6  Unit VAW  mJA  N    m

型号: TK3R1E04PL,S1X

制造商: Toshiba 

产品种类: MOSFET 

RoHS:  无铅环保  

技术: Si 

安装风格: Through Hole 

封装 / 箱体: TO-220-3 

通道数量: 1 Channel 

晶体管极性: N-Channel 

Vds-漏源极击穿电压: 40 V 

Id-连续漏极电流: 128 A 

Rds On-漏源导通电阻: 2.5 mOhms 

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.4 V 

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V 

Qg-栅极电荷: 63.4 nC 

最大工作温度: + 175 C 

Pd-功率耗散: 87 W 

配置: Single 

通道模式: Enhancement 

高度: 15.1 mm  

长度: 10.16 mm  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 4.45 mm  

商标: Toshiba  

下降时间: 27 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 12 ns  

工厂包装数量: 50  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 83 ns  

典型接通延迟时间: 28 ns  

单位重量: 1.800 g