SSM3K339R,LF MOSFET Toshiba

SSM3K339R,LF

MOSFETs Silicon N-Channel MOS Small Signal

Applications SSM3K339R

• Power Management Switches

• DC-DC Converters

Features SSM3K339R

(1) 1.8-V gate drive voltage.

(2) Low drain-source on-resistance

: RDS(ON) = 145 mΩ (typ.) (@VGS = 8.0 V, ID = 1.0 A)

 RDS(ON) = 155 mΩ (typ.) (@VGS = 4.5 V, ID = 1.0 A)

 RDS(ON) = 160 mΩ (typ.) (@VGS = 3.6 V, ID = 1.0 A)

 RDS(ON) = 180 mΩ (typ.) (@VGS = 2.5 V, ID = 0.5 A)

 RDS(ON) = 220 mΩ (typ.) (@VGS = 1.8 V, ID = 0.2 A)

Absolute Maximum Ratings (Note) (Unless otherwise specified, Ta = 25 )  

Characteristics  Drain-source voltage  Gate-source voltage  Drain current (DC)  Drain current (pulsed)  Power dissipation  Power dissipation  Channel temperature  Storage temperature  (t = 10 s)  (Note 1)  (Note 1), (Note 2)  (Note 3)  (Note 3)  Symbol  VDSS  VGSS  ID  IDP  PD  Tch  Tstg  Rating  40  ±12  2.0  4.0  1  2  150  -55 to 150  Unit  V  A  W  

型号: SSM3K339R

制造商: Toshiba 

产品种类: MOSFET 

RoHS:  无铅环保 

技术: Si 

安装风格: SMD/SMT 

封装 / 箱体: SOT-23F-3 

通道数量: 1 Channel 

晶体管极性: N-Channel 

Vds-漏源极击穿电压: 40 V 

Id-连续漏极电流: 2 A 

Rds On-漏源导通电阻: 185 mOhms 

Vgs - 栅极-源极电压: 8 V 

Qg-栅极电荷: 1.1 nC 

最大工作温度: + 150 C 

Pd-功率耗散: 1 W 

配置: Single 

通道模式: Enhancement 

封装: Cut Tape 

封装: Reel 

高度: 0.9 mm  

长度: 2.9 mm  

系列: SSM3K339  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 1.3 mm  

商标: Toshiba  

正向跨导 - 最小值: 2 S  

产品类型: MOSFET  

工厂包装数量: 3000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 8 ns  

典型接通延迟时间: 13 ns  

单位重量: 8 mg