NTR4003NT1G MOSFET ON

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NTR4003NT1G

Small Signal MOSFET  30 V, 0.56 A, Single N−Channel, SOT−23

MOSFET NFET 30V .56A 1500M


型号: NTR4003NT1G

制造商: ON Semiconductor 

产品种类: MOSFET 

RoHS:  无铅环保  

技术: Si 

安装风格: SMD/SMT 

封装 / 箱体: SOT-23-3 

通道数量: 1 Channel 

晶体管极性: N-Channel 

Vds-漏源极击穿电压: 30 V 

Id-连续漏极电流: 560 mA 

Rds On-漏源导通电阻: 1.5 Ohms 

Vgs th-栅源极阈值电压: 800 mV 

Vgs - 栅极-源极电压: 4 V 

Qg-栅极电荷: 1.15 nC 

最小工作温度: - 55 ℃ 

最大工作温度: + 150 ℃ 

配置: Single 

Pd-功率耗散: 690 mW 

通道模式: Enhancement 

封装: Cut Tape 

封装: Reel 

高度: 0.94 mm  

长度: 2.9 mm  

产品: MOSFET Small Signal  

系列: NTR4003N  

晶体管类型: 1 N-Channel  

类型: FETs - MOSFET - N-Channel  

宽度: 1.3 mm  

商标: ON Semiconductor  

正向跨导 - 最小值: 0.33 S  

下降时间: 64.2 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 47.9 ns  

工厂包装数量: 3000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 65.1 ns  

典型接通延迟时间: 16.7 ns  

单位重量: 8 mg


NTR4003NT1G Features

• Low Gate Voltage Threshold (VGS(TH)) to Facilitate Drive Circuit Design
• Low Gate Charge for Fast Switching
• ESD Protected Gate
• SOT−23 Package Provides Excellent Thermal Performance
• Minimum Breakdown Voltage Rating of 30 V
• NVR Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant


NTR4003NT1G Applications

• Notebooks:
♦ Level Shifters
♦ Logic Switches
♦ Low Side Load Switches

• Portable Applications


型号/规格

NTR4003NT1G

品牌/商标

ON(安森美)

封装形式

SOT-23

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

Pd-功率耗散

690 mW

Qg-栅极电荷

1.15 nC

工作温度

- 55 ℃

工作温度

150 ℃