NTR4170NT1G MOSFET ON

NTR4170NT1G

MOSFET NFET SOT23 30V 4A TR

30 V, 3.1 A, Single N−Channel, SOT−23

NTR4170NT1G Features

• Low RDS(on)

• Low Gate Charge

• Low Threshold Voltage

• Halide Free

• This is a Pb−Free Device

NTR4170NT1G Applications

• Power Converters for Portables

• Battery Management

• Load/Power Switch

型号: NTR4170NT1G

制造商: ON Semiconductor 

产品种类: MOSFET 

RoHS:  无铅环保  

技术: Si 

安装风格: SMD/SMT 

封装 / 箱体: SOT-23-3 

通道数量: 1 Channel 

晶体管极性: N-Channel 

Vds-漏源极击穿电压: 30 V 

Id-连续漏极电流: 3.9 A 

Rds On-漏源导通电阻: 55 mOhms 

Vgs th-栅源极阈值电压: 600 mV 

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V 

Qg-栅极电荷: 4.76 nC 

最小工作温度: - 55 ℃ 

最大工作温度: + 150 ℃ 

配置: Single 

Pd-功率耗散: 1.25 W 

通道模式: Enhancement 

封装: Cut Tape 

包装: Reel 

高度: 0.94 mm  

长度: 2.9 mm  

产品: MOSFET Small Signal  

系列: NTR4170N  

晶体管类型: 1 N-Channel  

类型: Power MOSFET  

宽度: 1.3 mm  

商标: ON Semiconductor  

正向跨导 - 最小值: 8 S  

CNHTS: 8541210000  

下降时间: 3.5 ns  

HTS Code: 8541290095  

MXHTS: 85423999  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 9.9 ns  

工厂包装数量: 3000  

子类别: MOSFETs  

TARIC: 8542399000  

典型关闭延迟时间: 15.1 ns  

典型接通延迟时间: 6.4 ns  

单位重量: 1.438 g