TK6A80E,S4X MOSFET Toshiba

TK6A80E,S4X

MOSFET PLN MOS 800V 1700m (VGS=10V) TO-220SIS Silicon N-Channel MOS (π-MOS)

型号: TK6A80E,S4X

制造商: Toshiba 

产品种类: MOSFET 

RoHS:  无铅环保  

技术: Si 

安装风格: Through Hole 

封装 / 箱体: TO-220FP-3 

通道数量: 1 Channel 

晶体管极性: N-Channel 

Vds-漏源极击穿电压: 800 V 

Id-连续漏极电流: 6 A 

Rds On-漏源导通电阻: 1.35 Ohms 

Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V 

Vgs - 栅极-源极电压: 30 V 

Qg-栅极电荷: 32 nC 

最小工作温度: - 55 C 

最大工作温度: + 150 C 

Pd-功率耗散: 45 W 

配置: Single 

通道模式: Enhancement 

高度: 15 mm  

长度: 10 mm  

系列: TK6A80E  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 4.5 mm  

商标: Toshiba  

下降时间: 15 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 20 ns  

工厂包装数量: 50  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 85 ns  

典型接通延迟时间: 55 ns  

单位重量: 6 g

Applications TK6A80E,S4X

• Switching Voltage Regulators

Features TK6A80E,S4X

(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.35 Ω (typ.)

(2) Low leakage current : IDSS = 10 μA (max) (VDS = 640 V)

(3) Enhancement mode: Vth = 2.5 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.6 mA)

Absolute Maximum Ratings (Note) (Ta = 25  unless otherwise specified) TK6A80E,S4X

Characteristics  Drain-source voltage  Gate-source voltage  Drain current (DC)  Drain current (pulsed)  Power dissipation  Single-pulse avalanche energy  Avalanche current  Reverse drain current (DC)  Reverse drain current (pulsed)  Channel temperature  Storage temperature  Isolation voltage (RMS)  Mounting torque  (Tc = 25)  (Note 1)  (Note 1)  (Note 2)  (Note 1)  (Note 1)  Symbol  VDSS  VGSS  ID  IDP  PD  EAS  IAR  IDR  IDRP  Tch  Tstg  VISO(RMS)  TOR  Rating  800  ±30  6  18  45  308  6  6  18  150  -55 to 150  2000  0.6  Unit  V  A  W  mJ  A    V  Nm