NTZS3151PT1G MOSFET ON

NTZS3151PT1G

Small Signal MOSFET  −20 V, −950 mA, P−Channel SOT−563

MOSFET -20V -950mA P-Channel

NTZS3151PT1G Features

• Low RDS(on) Improving System Efficiency

• Low Threshold Voltage

• Small Footprint 1.6 x 1.6 mm

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

NTZS3151PT1G Applications

• Load/Power Switches

• Battery Management

• Cell Phones, Digital Cameras, PDAs, Pagers, etc.

型号: NTZS3151PT1G

制造商: ON Semiconductor 

产品种类: MOSFET 

RoHS:  无铅环保  

技术: Si 

安装风格: SMD/SMT 

封装 / 箱体: SOT-563-6 

通道数量: 1 Channel 

晶体管极性: P-Channel 

Vds-漏源极击穿电压: 20 V 

Id-连续漏极电流: 950 mA 

Rds On-漏源导通电阻: 195 mOhms 

Vgs - 栅极-源极电压: 8 V 

最小工作温度: - 55 ℃ 

最大工作温度: + 150 ℃ 

配置: Single Quad Drain 

Pd-功率耗散: 170 mW 

通道模式: Enhancement 

封装: Cut Tape 

封装: Reel 

高度: 0.55 mm  

长度: 1.6 mm  

产品: MOSFET Small Signal  

系列: NTZS3151P  

晶体管类型: 1 P-Channel  

宽度: 1.2 mm  

商标: ON Semiconductor  

CNHTS: 8541210000  

下降时间: 12 ns  

HTS Code: 8541210095  

MXHTS: 85412101  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 12 ns  

工厂包装数量: 4000  

子类别: MOSFETs  

TARIC: 8541210000  

典型关闭延迟时间: 23.7 ns  

典型接通延迟时间: 5 ns  

单位重量: 3 mg