FDN302P MOSFET ON安森美

FDN302P

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

MOSFET SSOT-3 P-CH 2.5V

General Description

This P-Channel 2.5V specified MOSFET uses a rugged gate version of Fairchild’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (2.5V – 12V).

Applications

• Power management

• Load switch

• Battery protection

Features

• –20 V, –2.4 A. 

RDS(ON) = 0.055 Ω @ VGS = –4.5 V

RDS(ON) = 0.080 Ω @ VGS = –2.5 V

• Fast switching speed

• High performance trench technology for extremely low RDS(ON)

• SuperSOTTM -3 provides low RDS(ON) and 30% higher power handling capability than SOT23 in the same footprint

型号: FDN302P

制造商: ON Semiconductor 

产品种类: MOSFET 

RoHS:  无铅环保  

技术: Si 

安装风格: SMD/SMT 

封装 / 箱体: SSOT-3 

通道数量: 1 Channel 

晶体管极性: P-Channel 

Vds-漏源极击穿电压: 20 V 

Id-连续漏极电流: 2.4 A 

Rds On-漏源导通电阻: 55 mOhms 

Vgs - 栅极-源极电压: 12 V 

最小工作温度: - 55 ℃ 

最大工作温度: + 150 ℃ 

配置: Single 

Pd-功率耗散: 500 mW (1/2 W) 

通道模式: Enhancement 

商标名: PowerTrench 

封装: Cut Tape 

封装: Reel 

高度: 1.12 mm  

长度: 2.9 mm  

产品: MOSFET Small Signal  

系列: FDN302P  

晶体管类型: 1 P-Channel  

类型: MOSFET  

宽度: 1.4 mm  

商标: ON Semiconductor / Fairchild  

正向跨导 - 最小值: 10 S  

下降时间: 11 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 11 ns  

工厂包装数量: 3000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 25 ns  

典型接通延迟时间: 13 ns  

零件号别名: FDN302P_NL  

单位重量: 30 mg