TK10A80E,S4X MOSFET Toshiba

TK10A80E,S4X

MOSFET PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-220SIS

型号: TK10A80E,S4X

制造商: Toshiba 

产品种类: MOSFET 

RoHS:  无铅环保  

技术: Si 

安装风格: Through Hole 

封装 / 箱体: TO-220FP-3 

通道数量: 1 Channel 

晶体管极性: N-Channel 

Vds-漏源极击穿电压: 800 V 

Id-连续漏极电流: 10 A 

Rds On-漏源导通电阻: 700 mOhms 

Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V 

Vgs - 栅极-源极电压: 30 V 

Qg-栅极电荷: 46 nC 

最小工作温度: - 55 C 

最大工作温度: + 150 C 

Pd-功率耗散: 50 W 

配置: Single 

通道模式: Enhancement 

商标名: DTMOSIV 

高度: 15 mm  

长度: 10 mm  

系列: TK10A80E  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 4.5 mm  

商标: Toshiba  

下降时间: 35 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 40 ns  

工厂包装数量: 50  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 140 ns  

典型接通延迟时间: 80 ns  

单位重量: 6 g

Applications TK10A80E,S4X

• Switching Voltage Regulators

Features TK10A80E,S4X

(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.7 Ω (typ.)

(2) Low leakage current : IDSS = 10 μA (max) (VDS = 640 V)

(3) Enhancement mode: Vth = 2.5 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

Static Characteristics (Ta = 25  unless otherwise specified)  

Characteristics  Gate leakage current  Drain cut-off current  Drain-source breakdown voltage  Gate threshold voltage  Drain-source on-resistance  Symbol  IGSS  IDSS  V(BR)DSS  Vth  RDS(ON)  Test Condition  VGS = ±30 V, VDS = 0 V  VDS = 640 V, VGS = 0 V  ID = 10 mA, VGS = 0 V  VDS = 10 V, ID = 1 mA  VGS = 10 V, ID = 5 A  Min      800  2.5    Typ.          0.7  Max  ±1  10    4.0  1.0  Unit  μA  V  Ω