TK42A12N1,S4X MOSFET Toshiba

TK42A12N1,S4X

MOSFET MOSFET NCh7.8ohm VGS10V10uAVDS120V Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)

Absolute Maximum Ratings (Note) (Ta = 25 unless otherwise specified) TK42A12N1,S4X

TK42A12N1,S4X Characteristics  Drain-source voltage  Gate-source voltage  Drain current (DC)  Drain current (DC)  Drain current (pulsed)  Power dissipation  Single-pulse avalanche energy  Avalanche current  Channel temperature  Storage temperature  (Silicon limit)  (Tc = 25)  (t = 1 ms)  (Tc = 25)  (Note 1), (Note 2)  (Note 1)   (Note 1)  (Note 3)  Symbol  VDSS  VGSS  ID  ID  IDP  PD  EAS  IAR  Tch  Tstg  Rating  120  ±20  88  42  167  35  92  42  150  -55 to 150  Unit  V  A  W  mJ  A  

型号: TK42A12N1,S4X

制造商: Toshiba 

产品种类: MOSFET 

RoHS:  无铅环保  

技术: Si 

安装风格: Through Hole 

封装 / 箱体: TO-220FP-3 

通道数量: 1 Channel 

晶体管极性: N-Channel 

Vds-漏源极击穿电压: 120 V 

Id-连续漏极电流: 42 A 

Rds On-漏源导通电阻: 7.8 mOhms 

Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V 

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V 

Qg-栅极电荷: 52 nC 

最小工作温度: - 55 C 

最大工作温度: + 150 C 

Pd-功率耗散: 35 W 

配置: Single 

通道模式: Enhancement 

高度: 15 mm  

长度: 10 mm  

系列: TK42A12N1  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 4.5 mm  

商标: Toshiba  

产品类型: MOSFET  

工厂包装数量: 50  

子类别: MOSFETs  

单位重量: 6 g