RK7002BMT116 MOSFET ROHM

RK7002BMT116

MOSFET 2.5V Drive Nch 60V 250mA Small Signal MOSFET

Features RK7002BMT116

1) Very fast switching

2) Ultra low voltage drive (2.5V drive)

3) ESD protection up to 2kV (HBM)

4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.

5) Halogen Free.

Application 

Switching circuits 

Low-side loadswitch 

Relay driver

lAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C ,unless otherwise specified)  RK7002BMT116

Parameter Symbol Value Unit  Drain - Source voltage VDSS 60 V  Continuous drain current ID ±250 mA  Pulsed drain current IDP  *1 ±1 A  Gate - Source voltage VGSS ±20 V  Power dissipation  PD  *2 350 mW  PD  *3 200 mW  Junction temperature Tj 150 ℃  Operating junction and storage temperature range Tstg -55 to +150 ℃

型号: RK7002BMT116

制造商: ROHM Semiconductor 

产品种类: MOSFET 

RoHS:  无铅环保  

技术: Si 

安装风格: SMD/SMT 

封装 / 箱体: SOT-23-3 

通道数量: 1 Channel 

晶体管极性: N-Channel 

Vds-漏源极击穿电压: 60 V 

Id-连续漏极电流: 250 mA 

Rds On-漏源导通电阻: 2.4 Ohms 

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V 

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V 

最小工作温度: - 55 C 

最大工作温度: + 150 C 

Pd-功率耗散: 350 mW 

配置: Single 

通道模式: Enhancement 

封装: Cut Tape 

封装: Reel 

系列: RK7002BM  

晶体管类型: 1 N-Channel  

商标: ROHM Semiconductor  

正向跨导 - 最小值: 250 ms  

下降时间: 28 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 5 ns  

工厂包装数量: 3000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 18 ns  

典型接通延迟时间: 3.5 ns  

零件号别名: RK7002BM  

单位重量: 8 mg