TK17A80W,S4X MOSFET Toshiba

TK17A80W,S4X

MOSFET N-Ch 800V 2050pF 32nC 17A 45W Silicon N-Channel MOS (DTMOS IV)

Applications TK17A80W,S4X

• Switching Voltage Regulators

Features TK17A80W,S4X

(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.25

Ω (typ.)

by using Super Junction Structure : DTMOS

(2) Easy to control Gate switching

(3) Enhancement mode: Vth = 3.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, I

D = 0.85mA)

Source-Drain Characteristics (T  a = 25   unless otherwise specified)  

Characteristics  Diode forward voltage  Reverse recovery time  Reverse recovery charge  Peak reverse recovery current  Diode dv/dt ruggedness  Symbol VDSF trr Qrr Irr  dv/dt  Test Condition IDR = 17 A, VGS = 0 V VDD ≈ 640 V IDR = 8.5 A, VGS = 0 V   -dIDR/dt = 100 A/  μ  s  VDS  ≤ 640 V, IDR  ≤ 8.5 A, VGS = 0 V  Min 6  Typ.   3606  30  Max  -1.7   Unit V  ns μCA  V/ns

型号: TK17A80W,S4X

制造商: Toshiba 

产品种类: MOSFET 

RoHS:  无铅环保  

技术: Si 

安装风格: Through Hole 

封装 / 箱体: TO-220FP-3 

通道数量: 1 Channel 

晶体管极性: N-Channel 

Vds-漏源极击穿电压: 800 V 

Id-连续漏极电流: 17 A 

Rds On-漏源导通电阻: 250 mOhms 

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V 

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V 

Qg-栅极电荷: 32 nC 

最大工作温度: + 150 C 

Pd-功率耗散: 45 W 

配置: Single 

通道模式: Enhancement 

商标名: DTMOSIV 

封装: Tube 

高度: 15 mm  

长度: 10 mm  

系列: TK17A80W  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 4.5 mm  

商标: Toshiba  

下降时间: 7 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 24 ns  

工厂包装数量: 50  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 80 ns  

典型接通延迟时间: 58 ns  

单位重量: 2 g