SSM3K335R,LF MOSFET Toshiba

SSM3K335R,LF

MOSFET N-Ch U-MOSVI FET ID 6A 30VDSS 340pF

MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS-H)

Applications SSM3K335R,LF

• Power Management Switches

• DC-DC Converters

Features SSM3K335R,LF

(1) 4.5-V gate drive voltage.

(2) Low drain-source on-resistance

: RDS(ON) = 38 mΩ (max) (@VGS = 10 V)

 RDS(ON) = 56 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V)

Characteristics  Drain-source voltage  Gate-source voltage  Drain current (DC)  Drain current (pulsed)  Power dissipation  Power dissipation  Channel temperature  Storage temperature  (t ≤ 10 s)  (Note 1)  (Note 1,2)  (Note 3)   (Note 3)  Symbol  VDSS  VGSS   ID  IDP   PD  PD  Tch  Tstg  Rating  30  ±20  6  14  1  2  150  -55 to 150  Unit  V  A   W  W  

型号: SSM3K335R,LF

制造商: Toshiba 

产品种类: MOSFET 

RoHS:  无铅环保  

技术: Si 

安装风格: SMD/SMT 

封装 / 箱体: SOT-23-3 

通道数量: 1 Channel 

晶体管极性: N-Channel 

Vds-漏源极击穿电压: 30 V 

Id-连续漏极电流: 6 A 

Rds On-漏源导通电阻: 56 mOhms 

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V 

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V 

Qg-栅极电荷: 2.7 nC 

最小工作温度: - 55 C 

最大工作温度: + 150 C 

Pd-功率耗散: 1 W 

配置: Single 

封装: Cut Tape 

封装: Reel 

高度: 0.9 mm  

长度: 2.9 mm  

系列: SSM3K335  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 1.3 mm  

商标: Toshiba  

产品类型: MOSFET  

工厂包装数量: 3000  

子类别: MOSFETs  

单位重量: 8 mg