STT4PF20V MOSFET 晶体管

STT4PF20V

P-CHANNEL 20V - 0.090 Ω - 3A SOT23-6L  2.7V-DRIVE STripFET™ II POWER MOSFET

DESCRIPTION STT4PF20V

This Power MOSFET is the latest development of  STMicroelectronis unique "Single Feature Size™"  strip-based process. The resulting transistor  shows extremely high packing density for low onresistance,  rugged avalanche characteristics and  less critical alignment steps therefore a remarkable  manufacturing reproducibility.

APPLICATIONS

■ MOBILE PHONE APPLICATIONS

■ DC-DC CONVERTERS

■ BATTERY MANAGEMENT IN NOMADIC EQUIPMENT

■ TYPICAL RDS(on) = 0.090 Ω @ 4.5 V

■ TYPICAL RDS(on) = 0.100 Ω @ 2.7 V

■ ULTRA LOW THRESHOLD GATE DRIVE (2.7 V)

■ STANDARD OUTLINE FOR EASY AUTOMATED SURFACE MOUNT ASSEMBLY

型号: STT4PF20V

制造商: STMicroelectronics 

产品种类: MOSFET 

RoHS:  无铅环保  

技术: Si 

安装风格: SMD/SMT 

封装 / 箱体: SOT-23-6 

通道数量: 1 Channel 

晶体管极性: P-Channel 

Vds-漏源极击穿电压: 20 V 

Id-连续漏极电流: 3 A 

Rds On-漏源导通电阻: 90 mOhms 

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V 

最小工作温度: - 55 C 

最大工作温度: + 150 C 

Pd-功率耗散: 1.6 W 

配置: Single 

通道模式: Enhancement 

封装: Cut Tape 

封装: Reel 

高度: 1.3 mm  

长度: 3.05 mm  

产品: MOSFET Small Signal  

系列: STT4PF20V  

晶体管类型: 1 P-Channel  

类型: MOSFET  

宽度: 1.75 mm  

商标: STMicroelectronics  

下降时间: 39 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 39 ns  

工厂包装数量: 3000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 54 ns  

典型接通延迟时间: 38 ns  

单位重量: 36 mg