SiC MOSFET 模块并联的动态均流难题及对策
在电力电子领域的不断发展进程中，SiC MOSFET 模块由于其优异的性能，如高开关速度、...
日期：2025-05-30
采用 SiC 辅助电源的牵引逆变器功能安全设计
在传动逆变器中，一个低功率辅助电源，通常是反激转换器，起着至关重要的作用，将 400...
日期：2025-05-08
SIC在芯片尺度附近的电动汽车和机车牵引力的可伸缩性
maxpak初始焦点高达650V/400A和1200V/200A工业开关。最大模具尺寸的最大尺寸是直接焊...
日期：2025-04-07
SIC门保护的不对称瞬态电压抑制二极管
瞬态保护设备 瞬态尖峰可能是由雷击，附近的机械，负载开关的电源飙升等引起的。一...
日期：2025-03-27
将Schottky屏障二极管与SIC MOSFET集成的进步
Sic Schottky二极管比标准硅P/N二极管具有许多优势。一个关键优势是缺乏反向发现损失...
日期：2025-03-20
2 KV SIC功率模块变换1500 V系统
由于可靠性，成本和系统级别的价值提高，碳化硅碳化物的阻塞电压最高可达1700 V。通过...
日期：2025-03-14
TDK - 面向紧凑型高性能FPGA、SoC和ASIC的次世代垂直供电解决方案
随着人工智能 (AI) 和边缘应用日趋完善和复杂，对处理器、ASIC和FPGA/SoC的计算能力和...
日期：2025-02-27
基于SIC的电子融合与传统保险丝
传统保险丝是一种单使用设备，需要在清除故障后更换。因此，指定保险丝仅在持续的高电...
日期：2025-02-21
Microchip - 基于SiC的高电压电池断开开关的设计注意事项
得益于固态电路保护，直流母线电压为400V或以上的电气系统（由单相或三相电网电源或储...
日期：2025-02-14
设计高压SIC的电池断开开关
DC总线电压为400 V或更大的电气系统，由单相或三相电网功率或储能系统（ESS）提供动力...
日期：2025-02-12
基于 SiC 的三相电机驱动开发和验证套件
基于 SiC 器件的电机驱动 工业电机驱动器涵盖广泛的应用，从低压工业驱动器（例如...
日期：2025-01-16
系统解决方案：“用于工业电机驱动的SiC逆变器”
这导致对系统和组件级别的设计要求更加苛刻，并最终影响功率器件、无源组件、冷却技术...
日期：2025-01-03
利用 SiC 和 GaN 电源满足 AI 需求
第一代 AI PSU：采用相同架构，功率更高，约 5.5–8 kW，50 V输出，277 V交流，单相 ...
日期：2025-01-02
USCis SiC 共源共栅的开关行为
沟槽 JFET 结构 图 1 显示了沟槽 JFET 的单元结构示意图。低导通电阻源自以高单元...
日期：2024-12-30
SiC MOSFET 利用快速关断方法实现短路保护
短路原点 电源转换系统中的 SC 事件可能由多种原因引起，包括电缆操作、负载故障、绝缘材料老化、组件故...
日期：2024-12-19
SiC 在两种类型的电机驱动应用中的技术优势
碳化硅已准备好部署在具有成本竞争力的工业电机驱动市场。 SiC 功率模块的实际优势不...
日期：2024-12-05
设计基于 SiCMOSFET 的 66kW 双向电动汽车车载充电器
随着世界转向更清洁的燃料替代品，电动汽车运输领域正在经历快速增长。此外，配备足够...
日期：2024-12-03
研究 25kW 并联 SiC MOSFET DAB 转换器的性能
分立器件与电源模块 SiC MOSFET在电动汽车充电器和光伏逆变器等各个领域获得了广泛...
日期：2024-11-29
汽车用高功率密度 SiC 功率模块的技术方法
为了实现 xEV 的广泛采用，延长行驶里程和降低电池成本至关重要。其中一个关键因素是...
日期：2024-11-28
光伏优化器使用 eGaN FET 和专用 ASIC 控制器
第一种配置是微型逆变器，它为安装中的每个面板使用逆变器，确保每个面板都能发挥其全...
日期：2024-11-27
soc芯片和asic芯片对比
SoC芯片（系统级芯片，System on Chip）和ASIC芯片（特定应用集成电路，Application-Specific Integrated C...
日期：2024-11-07
选择和操作开关功率晶体管：SiC 元件
碳化硅元件 与 GaN 相比，SiC 拥有超过 15 年的二极管实际制造和应用经验以及超过 ...
日期：2024-11-01
设计高压 SiC 电池断路开关
由单相或三相电网电源或储能系统(ESS) 供电的直流母线电压为 400 V 或更高的电气系统...
日期：2024-10-23
GaN 和 SiC 转换器的控制器 HIL 测试
带有 GaN 和 SiC 元件的转换器的高开关频率对用于控制系统硬件在环测试的实时模拟器提...
日期：2024-09-14
Excelpoint - 一文了解SiC MOS的应用
作为第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅MOSFET具有更高的开关频率和使用温度，能够减小电感、电容...
日期：2024-08-27
适用于电动汽车和机车牵引的 SiC 近芯片级封装的可扩展性
传统上采用笨重 DBC 模块封装的功率 WBG /SiC 器件可以用近芯片级 SMD 封装替代。WBG ...
日期：2024-08-12
SiC MOSFET的栅极应力测试
氧化物/SiC界面会在关键器件参数（如阈值电压（V）上产生较大的偏移第）、导通状态电...
日期：2024-08-06
革新ZVS软开关技术，Qorvo SiC FET解锁高效率应用潜能
面对这一挑战，尽管电力电子工程师们早就掌握了理论上能够达到零损耗的ZVS软开关这一...
日期：2024-08-05
Qorvo E1B SiC模块：成就高效功率转换系统的秘密武器
在功率转换中，效率和功率密度至关重要。每一个造成能量损失的因素都会产生热量，并需...
日期：2024-06-13
Qorvo SiC FET与SiC MOSFET优势对比
碳化硅（SiC）如何成为功率电子市场一项“颠覆行业生态”的技术。如图1所示，与硅（Si）材料相比，SiC具有...
日期：2024-05-31
