适用于运输领域的SiC：设计入门
在这篇文章中，作者分析了运输辅助动力装置（APU）的需求，并阐述了SiC MOSFET、二极管及栅极驱动器的理想...
日期：2023-04-20
击穿、稳压器和 SiC/Ge 二极管
击穿 SiC/GaN 与 Si/Ge假设我们要解决一个问题分为以下两点：解释WBG二极管的击穿现象，证明图 1 和图 2 中...
日期：2023-04-18
用于开关和功率测量的 SiC 测试套件
碳化硅(SiC) 器件的测试通常涉及不同的电路板和设置，用于开关损耗测量与全功率测试。在这些测量中的每一个...
日期：2023-03-03
SiC MOSFET：一种经济高效且可靠的大功率解决方案
碳化硅 (SiC) 已被证明是高功率和高电压器件的理想材料。但是，设备的可靠性极其重要...
日期：2023-02-16
具有 3L-TNPC 拓扑结构的高效三相 SiC 逆变器
最新一代的电源转换器需要满足具有挑战性的要求，例如低功率损耗、高功率密度和顶级效...
日期：2023-01-31
用于 SiC 解决方案设计的模块化评估平台
以碳化硅(SiC) 技术为动力的下一代功率半导体将满足快速增长的纯电动汽车 (BEV) 市场...
日期：2023-01-13
双栅结构 SiC FETs 在电路保护中的应用
2022 年 12 月 6 - 7 日，中国电工技术学会低压电器专业委员会第二十一届学术年会、第十七届中国智能电工技...
日期：2022-12-29
通过转向1700V SiC MOSFET，无需考虑功率转换中的权衡问题
高压功率系统设计人员努力满足硅MOSFET和IGBT用户对持续创新的需求。基于硅的解决方案...
日期：2022-12-16
使用 SiC JFET 接近完美开关
碳化硅 (SiC) JFET坚固耐用，具有高能量雪崩和短路耐受额定值，而且值得注意的是，它...
日期：2022-12-15
东芝开发带嵌入式肖特基势垒二极管的低导通电阻高可靠性SiC MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation)和东芝株式会社(T...
日期：2022-12-14
1200 V SiC MOSFET 的体二极管可靠性研究（SiC MOSFET 的体二极管测试）
在 PCT 期间，当 DUT 开启时，由于电流从漏极流向源极，DUT 温度会升高（图 1a）。当 ...
日期：2022-12-02
提高电源转换器性能的低 RDS(on) SiC FET（SiC FET 架构显示出多项优势）
碳化硅功率器件在功率转换效率、改进的高温性能和使用更简单的电路拓扑结构方面比硅功...
日期：2022-12-01
使用TI功能安全栅极驱动器提高SiC牵引逆变器的效率
随着电动汽车 (EV) 制造商竞相开发成本更低、行驶里程更长的车型，电子工程师面临降低...
日期：2022-10-29
使用 TI 功能安全栅极驱动器提高SiC牵引逆变器的效率
随着电动汽车 (EV) 制造商竞相开发成本更低、行驶里程更长的车型，电子工程师面临降低...
日期：2022-09-28
深入剖析高速SiC MOSFET的开关行为
摘 要 本文探讨了影响高速SiC MOSFET开关特性的关键因素，包括器件特性、工作条件...
日期：2022-08-30
PI 汽车级驱动板SCALETM EV优化并保障SiC和IGBT开关电路
前不久深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations（PI）...
日期：2022-08-25
一种新型3．6－kV／400－A SiC IPM可提升电源应用的性能
高能效对于多种大电流电源应用至关重要，包括工业电机驱动器、可再生能源系统和固态变...
日期：2022-08-05
60W辅助电源1700V SiC MOSFET
辅助电源是电机驱动、光伏逆变器和 UPS 系统等工业应用的重要组成部分。高压直流总线...
日期：2022-08-04
ST-意法半导体双通道栅极驱动器优化并简化SiC和IGBT开关电路
IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET栅极驱动器在高压电力变换和工业应用中节省空间，简化电路设计。 IGBT驱动器ST...
日期：2022-06-08
电源设计说明：线性方案中的 SiC MOSFET
SiC MOSFET 在开关状态下工作。然而，了解其在线性状态下的行为是有用的，这可能发生...
日期：2022-06-08
SiC设计干货分享（一）：SiC MOSFET驱动电压的分析及探讨
随着制备技术的进步，在需求的不断拉动下，碳化硅（SiC）器件与模块的成本逐年降低。...
日期：2022-06-08
ROHM罗姆第4代SiC MOSFET在电动汽车电控系统中的应用及其优势
近年来，为了实现“碳中和”等减轻环境负荷的目标，需要进一步普及下一代电动汽车（xEV），从而推动了更高...
日期：2022-05-23
UnitedSiC（现名Qorvo）推出具有业界出众品质因数的1200V第四代SiC FET
Qorvo推出新一代1200V碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）系列，这些产品在导通电阻方面具备业界出众的性能表...
日期：2022-05-12
英飞凌推出1200 V CoolSiC MOSFET M1H芯片，以增强特性进一步提高系统能效
英飞凌科技股份公司近日发布了一项全新的CoolSiC?技术，即CoolSiC? MOSFET 1200 V M1H。这款先进的碳化硅（...
日期：2022-05-11
Soitec 发布首款 200mm SmartSiC™ 优化衬底，拓展碳化硅产品组合
设计和生产创新性半导体材料的quan球领军企业Soitec 近日发布了其首款 200mm 碳化硅 SmartSiC 晶圆。这标志...
日期：2022-05-07
PI创新集成SiC的开关电源，简化电动汽车应急电源设计
“汽车对于我们来说是一个全新的市场，这款全新的集成1700V SiC的InnoSwitch-AQ确实为...
日期：2022-03-03
SiC MOSFET替代Si MOSFET，自举电路是否适用？
自举式悬浮驱动电路可以极大的简化驱动电源的设计，只需要一路电源就可以驱动上下桥臂两个开关管的驱动，可...
日期：2022-01-17
儒卓力提供英飞凌CIPOS Maxi SiC IPM IM828系列1200 V电源模块
英飞凌CIPOS Maxi SiC IPM 是一款基于MOSFET的55 mΩ三相CoolSiC?发射极开路智能电源模块，采用36x23D DIP...
日期：2021-08-30
贸泽备货Qorvo QPD0011 GaN－on－SiC HEMT 赋能4G和5G通信应用
专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics)即日起开始备货Qorvo QPD0...
日期：2021-08-24
ower Integrations推出600V Qspeed二极管可替代汽车应用中的SiC元件
PI通过AEC-Q100 的 新Qspeed二极管具有所有600V硅二极管中 低的反向恢复电荷(Qrr)。QH12TZ600Q二极管扩...
日期：2021-08-09
