设计高压 SiC 电池断路开关

由单相或三相电网电源或储能系统(ESS) 供电的直流母线电压为 400 V 或更高的电气系统...

日期：2024-10-23

GaN 和 SiC 转换器的控制器 HIL 测试

带有 GaN 和 SiC 元件的转换器的高开关频率对用于控制系统硬件在环测试的实时模拟器提...

日期：2024-09-14

Excelpoint - 一文了解SiC MOS的应用

作为第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅MOSFET具有更高的开关频率和使用温度，能够减小电感、电容...

日期：2024-08-27

适用于电动汽车和机车牵引的 SiC 近芯片级封装的可扩展性

传统上采用笨重 DBC 模块封装的功率 WBG /SiC 器件可以用近芯片级 SMD 封装替代。WBG ...

日期：2024-08-12

SiC MOSFET的栅极应力测试

氧化物/SiC界面会在关键器件参数（如阈值电压（V）上产生较大的偏移第）、导通状态电...

日期：2024-08-06

革新ZVS软开关技术，Qorvo SiC FET解锁高效率应用潜能

面对这一挑战，尽管电力电子工程师们早就掌握了理论上能够达到零损耗的ZVS软开关这一...

日期：2024-08-05

Qorvo E1B SiC模块：成就高效功率转换系统的秘密武器

在功率转换中，效率和功率密度至关重要。每一个造成能量损失的因素都会产生热量，并需...

日期：2024-06-13

Qorvo SiC FET与SiC MOSFET优势对比

碳化硅（SiC）如何成为功率电子市场一项“颠覆行业生态”的技术。如图1所示，与硅（Si）材料相比，SiC具有...

日期：2024-05-31

无芯变压器隔离适用于电动汽车和工业应用的 SiC 栅极驱动器

随着对更高电压运行和更高效率的要求，最新的电动汽车和工业电源系统趋势推动了电力系...

日期：2024-04-30

xEV 主逆变器电源模块中第四代 SiC MOSFET 的短路测试

xEV 应用的应用示例。由于 SiC 功率半导体在电动动力系统中的优势已得到证实，SiC 功...

日期：2024-04-26

在电动汽车充电解决方案中使用 SiC 和硅的好处

SiC基功率器件的优点　　考虑一下阳光充足的一天，从而产生充足的可再生能源，例如通...

日期：2024-03-02

SiC MOSFET 满足高效、高频应用的要求

SiC MOSFET 的优点　　SiC MOSFET 的根本优势源自碳化硅材料本身。与传统的硅基半导体...

日期：2024-01-08

用于电动汽车充电器应用 PFC 的 SiC 器件

交流充电桩适合在家中或工作场所为电动汽车充电，因为目前车载充电器的额定功率通常达...

日期：2023-12-26

适用于最高电压?Class Si IGBT 和 SiC MOSFET 的封装

电力电子及其效率的重要性也随之增加。为了最大限度地减少电力电子设备中的能量损失，...

日期：2023-12-25

为什么 SiC 是电动汽车的核心

汽车电气化是一个仍然存在许多汽车制造商关注的技术挑战的领域。面向可持续未来的动力...

日期：2023-12-15

基于 SiC 的 ANPC 拓扑比较

碳化硅器件因其对现代电力电子应用的众多优势而越来越受欢迎。1,2为了补偿 SiC 功率器...

日期：2023-12-14

用于提高牵引逆变器性能的双面冷却 SiC 模块

大多数最先进 (SOTA) 电动汽车的牵引逆变器体积功率密度范围从基于 SSC-IGBT 的逆变器...

日期：2023-11-23

用于完善智能电表设计的 FPGA 到 ASIC 案例研究

许多嵌入式系统设计首先使用 FPGA 来实现。这可能是为了更快地进行原型设计或提供软件...

日期：2023-11-10

针对噪声模拟设计的 ASIC 修复

噪声是混合信号 ASIC 中的一个常见问题，会降低性能并危及产品的完成度。本应用笔记提...

日期：2023-08-30

适用于高性能功率器件的 SiC 隔离解决方案

使用 SiC 栅极驱动器可以减少 30% 的能量损耗，同时最大限度地延长系统正常运行时间。...

日期：2023-08-15

SiC FET 封装选项可提高车载充电器性能

功率转换效率对于解决电动汽车续航里程和充电时间的问题至关重要。具有直流输出和大型磁性元件的车载充电器...

日期：2023-08-10

高性能 SiC MOSFET 技术装置设计理念

合适的设备概念应允许一定的设计自由度，以便适应各种任务概况的需求，而无需对处理和...

日期：2023-08-08

双向 SiC 和 GaN 开关技术

有许多大容量电源应用需要控制双向电源流。目前，单片双向 SiC 和 GaN 功率半导体开关...

日期：2023-08-02

汽车应用中 SiC 和 GaN 功率器件的可靠性和质量要求

半导体在汽车中的使用持续增加。如图1所示，尽管由于疫情造成的全球供应链限制，过去...

日期：2023-08-01

如何制作SiC双向开关

“就电流而言，GaN 横向器件本质上是双向的。无论电流是从源极到漏极还是从漏极到源极...

日期：2023-07-18

如何利用1200 V EliteSiC MOSFET 模块，打造充电更快的车载充电器？

早期的电动汽车 (EV) 由于难以存储足够的能量来驱动强大的主驱电机，行驶里程较为有限。为了延长行驶里程，...

日期：2023-06-14

采用增强互连封装技术的1200 V SiC MOSFET单管设计高能效焊机

逆变焊机通常是通过功率模块解决方案设计来实现更高输出功率，从而帮助降低节能焊机的成本、重量和尺寸[1]...

日期：2023-06-09

TI - 如何通过实时可变栅极驱动强度更大限度地提高 SiC 牵引逆变器的效率

牵引逆变器是电动汽车 (EV) 中消耗电池电量的主要零部件，功率级别可达 150kW 或更高...

日期：2023-06-01

SiC 和 GaN 功率器件的可靠性和质量要求

Innoscience 和其他公司已经超越了标准的可靠性和生产测试来强调部件失效，推断出可以估计 1 ppm 故障率寿...

日期：2023-05-25

SiC 晶片的切片和表面精加工解决方案

如今，碳化硅用于要求苛刻的半导体应用，如火车、涡轮机、电动汽车和智能电网。由于其物理和电气特性，基于...

日期：2023-05-09