双向 SiC 和 GaN 开关技术

    

   有许多大容量电源应用需要控制双向电源流。目前，单片双向 SiC 和 GaN 功率半导体开关尚未商用。相反，通常使用单向功率器件的背靠背（反串联）连接方案，导致芯片面积增加 4 倍并且成本较高。然而，各种单片 SiC 和 GaN 双向概念正在研究中，包括双栅极双向 GaN 开关和背对背连接的 SiC MOSFET 和 JFET。

    在本次演讲中，我们将回顾 SiC 和 GaN 双向开关的半导体技术，包括它们的工作原理及其横向和垂直几何配置。将介绍迄今为止报道的有前途的单片双向设备，并将讨论固态断路器和电流源逆变器的关键双向开关应用。随着 SiC 和 GaN 器件在电动汽车和消费电子产品中的插入推动分别实现大规模商业化，SiC 和 GaN MBD 开关的制造在经济上变得可行，使其能够在关键批量应用中得到广泛采用。