maxpak初始焦点高达650V/400A和1200V/200A工业开关。模具尺寸的尺寸是直接焊接到电力PCB，DBC底物，甚至是重型铜铅框架的限制，从而限制了电流。初的?maxpak设计，类型
图1：轻工业SIC 600-1200V maxpak横截面顶部/左：高侧开关顶部/右：低侧开关底部：半桥开关
顶/左：高侧开关顶部/右：低侧开关
底部：半桥开关
I和II将SIC模具顶和底部的所有热和电气连接带到SMD包装的底部。他们容纳了侧gan和垂直的SIC死亡。 Chip尺度近的SMD是用于包装600-1200V IGBT开关的DBC模块的明显替代方案。这些模块笨重，缓慢且昂贵，尽管它们的巨大寄生虫对于硅电源设备来说是可以接受的，但它们极大地限制了Power WBG（ Gan＆SIC ）设备的性能。图1显示了工业?maxpak的基本结构a）高侧，b）低侧＆c）半桥开关。
对于I型和IIμmaxpakSMD软件包，包装底部的垫面积限制了可用的空间和电流，并且可用的垫间距限制了电压。随着新型III型Maxpak具有顶部和底部垫的发展，它们可用于扩展工业600V-11200V产品的当前范围。轻工业?maxpak具有用于标准SMD组装过程的所有底面垫是有利的。
对电动汽车（EV）牵引力的可伸缩性更高：III型或薄maxpaks消除了包装顶部的过度焊接，可在底部和顶部启用电气和热垫，可容纳750a和更高较高的较高电流。成型操作本质上是双面蚀刻铅框中的开放空间的填充。这种成型操作需要用于成型化合物填充和流动的铅帧和模具。 III ?maxpak型的双面垫也需要将双方放置和镀板。
III型μmaxpak包装需要垂直WBG像SIC MOSFET一样死亡，一侧有排水口（d），相反侧的源/门（S/G）。 （如果将D带到模具的背面/对面，则可以使用SIC基材上的侧向gan。图2显示了EV maxpak的基本结构a）高侧（HS）＆b）低侧（LS）开关的基本结构。
较高的EV电流会增加所需的模具大小，因此只能将?maxpak焊接到DBC基板隔离器上，以地减少CTE扩展不匹配到暴露的底部侧面模具。这些底物必须通过高压隔离提供的热电阻。
图2：EV牵引650-1200V SIC maxpak横截面顶部：高侧开关底部：低侧开关
顶部：高侧开关底部：低侧开关
HS＆LS ?maxpak开关的顶部将被焊接到输出总线上，该总线再次在暴露的SIC DIE和铜输出总线之间存在CTE不匹配问题。因此，高电流接触需要多个垫子，并在垫之间具有应力缓解功能。可以通过多个狭窄和狭窄的连接器和C弯来实现应力缓解。
蚀刻的铅帧条的次要形成或造型操作既可以创建应力 - 浮雕和HV间隙特征。此操作使一件式QFN LeadFrame可以使用，这是美国9,214,416中描述的maxpak腔体架构的关键特征。
在顶部和底部的芯片规模范围内的较高功率是使用基本QFN技术和专有μmaxpak腔体架构建造的。但是，LeadFrame设计需要增强的成型复合流和锁定功能，包装较薄。高电流SIC ?maxpak牵引开关配置的基本概念如图2 A＆B所示。
对HV机车牵引力的可伸缩性更高的电流和电压
机车牵引开关也是III maxpak型，带有顶部和底部外部垫子，可容纳大型的模具和高电流。机车牵引力还需要更高的电压功能，例如3.3kV-6.5kV。尽管机车?maxpak LeadFrame条带有SIC模具的相同专有的底部腔，但在QFN singulation操作过程中成型后，腔的壁被除去。这种奇异操作方便地使包装的一侧的高压排水管和另一侧的低压源和门。当在电力训练系统中盆栽或涂层时，这可以在?maxpak包装的外部提供污染度1的爬行路径。
在maxpak内，模具边缘上的高压漏极接近模具另一侧的低压g/s平面。因此，隔离需要在G/S侧的HV模具边缘与焊接的LeadFrame或DBC铜垫之间进行较厚的成型化合物。这是通过更深的铅框或形成在HS开关中完成的。在LS开关上，G/S引线被焊接到底部DBC铜垫上，因此必须通过用焊料和电镀来增加模具以增加分离来将模具边缘分开。分离装有包装成型化合物，并在包装下和系统盆栽材料下方填充。细节可以在图3A和3B中看到。
图3：机车牵引力SIC maxpak横截面
顶部：高侧开关底部：低侧开关
电力机车牵引应用需要maxpak对1000a等电流和3.3kV及更高电压的可伸缩性。当今，EV和机车应用迫切需要这种功率SIC设备的性能和效率，并且Maxpak使SIC能够提供其全部固有的性能和效率。
maxpak图像和透视图
芯片尺度SMD包装附近的?maxpak通常厚约1毫米，仅比总功率模具区域稍大。请参阅下面的maxpak单切口（SS）和半桥（HB）的3-D视图。图4a显示了带有SIC MOSFET和二极管模具的HS-SS maxpak的顶部，图4b显示了HS＆LS开关中带有MOSFET和MOSFET和二极管模具的HB ?maxpak的顶部。可以将HS-SS翻转为LS-SS，并在顶部用阳极（A）和排水垫（D）垫。
相对于典型的信用卡，图4C中说明了3.3kV 750a SIC maxpak单切换的尺寸透视图。这是一个很好的比较，因为maxpak套件和信用卡均约为1毫米。
图4：EV maxpak开关和半桥插图顶部：Hi Side SS Co-Pak底部：Hi Side＆Lo Side Half-Bridge Co-Pak
使用maxpak SIC开关进行EV和机车牵引力
电动汽车和机车牵引力训练或电动机驱动架构必须并且必须发展以使SIC的性能，效率和速度达到全面。如果将所有电感放回电力训练结构和内部连接中，则消除过时IGBT DBC模块的电线键，导线和端子是没有好处的。近芯片尺度的SMD包几乎消除了开关包装寄生虫，几乎保持了未包装的模具密度。它们提供了经过多个模具（MOSFETS和DIODES）的预测试和屈服开关，可以在不损坏的情况下处理和组装。
图4C：机车3.3KV_750 A SIC ?maxpak开关
现在，功率训练逆变器可以是平面SMD组件，而没有庞大的终端和的互连。此外，平面线索还可以提供电感取消。理想情况下，所有其他功率组件都可以消除或化互连，而仅使用终端退出驱动系统。设计驱动系统结构超出了本文的范围。这里的焦点仅限于使用maxpak SMD包装开关来说明SMD/平面三相逆变器。逆变器示例解决了?maxpak电气和热接口问题，它演示了如何简化其他功率驱动组件的整体系统更高的功率密度，性能和效率。
参见图5，一个平面/SMD逆变器，底部冷板上具有六个maxpak开关。三个输出总线显示为铜条，焊接到三个HS＆LS开关中的每个开关中的每一个。这种方法简单易于可视化，但是这种配置仅从?maxpak开关的底部吸收加热。如果使用DBC基板进行隔离，则可以从三个输出总线中取出热量。这种配置增加了SIC冷却和性能，但也可能增加电气和热互连复杂性。
图5：带有六个maxpak开关的平面/SMD EV逆变器的插图
尽管maxpak软件包是由SIC开关的性能，效率和速度驱动的，但它们也极大地减少了EV和机车驱动器尺寸，重量和冷却系统。
