MOSFET 开关损耗简介

MOSFET 的工作方式可分为两种基本模式：线性模式和开关模式。在线性模式下，晶体管的栅源电压足以使电流流...

日期：2024-04-29

xEV 主逆变器电源模块中第四代 SiC MOSFET 的短路测试

xEV 应用的应用示例。由于 SiC 功率半导体在电动动力系统中的优势已得到证实，SiC 功...

日期：2024-04-26

功率 MOSFET 特性双脉冲测试

IEC 60747-9 标准以 IGBT 为例解释了相应的测试设置和测量结果。正如预期的那样，没有...

日期：2024-03-07

MOSFET工作原理和特点

MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用...

日期：2024-03-04

MOSFET 共源放大器的频率响应

之前，我们了解了MOSFET 共源放大器的大信号和小信号行为。这些分析虽然有用，但仅适...

日期：2024-02-29

MOSFET共源放大器简介

放大器基本上是每个模拟电路的一部分。MOSFET 是出色的放大器件，这就是为什么有多种...

日期：2024-02-22

什么是耗尽型 MOSFET？

金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）比结型 FET 具有更大的商业重要性。MOSFET 是具有多种功能的三端器...

日期：2024-01-18

续流二极管的存储电荷对功率 MOSFET 导通损耗的影响

两种损失　　原则上，功率半导体有两种损耗：通态损耗和开关损耗。后者包括开通和关断...

日期：2024-01-17

MOSFET 的小信号特性在模拟 IC 设计的作用

什么是小信号分析？　　当我们说“小信号”时，我们到底是什么意思？为了定义这一点，...

日期：2024-01-15

SiC MOSFET 满足高效、高频应用的要求

SiC MOSFET 的优点　　SiC MOSFET 的根本优势源自碳化硅材料本身。与传统的硅基半导体...

日期：2024-01-08

适用于最高电压?Class Si IGBT 和 SiC MOSFET 的封装

电力电子及其效率的重要性也随之增加。为了最大限度地减少电力电子设备中的能量损失，...

日期：2023-12-25

车级 MOSFET 采用新型 TO 无引线封装

车级 MOSFET 采用新型 TO 无引线封装，旨在优化两轮和三轮车辆以及其他轻型车辆、汽车 BLDC 电机和电动汽车...

日期：2023-12-15

基本 MOSFET 恒流源

恒流源在电路分析练习和网络定理中占有重要地位，然后它们似乎或多或少消失了。。。除...

日期：2023-11-22

冷却 MOSFET 以实现动态系统的最佳性能

MOSFET 在静态状态下提供最大性能，并且在此配置中其功率效率相当高。然而，如果以动...

日期：2023-11-10

了解 MOSFET 通态漏源电阻

分立 MOSFET 数据表中最重要的规格之一是漏源通态电阻，缩写为 R DS (on)。这个 R DS ...

日期：2023-11-02

模拟 IC 设计的 MOSFET 结构和操作

MOSFET结构　　MOS 晶体管是一种四端器件，由栅极 (G)、漏极 (D)、源极 (S) 和体 (B) ...

日期：2023-11-02

IGBT / MOSFET 的基本栅极驱动光耦合器设计

本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦合器 IC 的栅极驱动器功率和热耗散的主题。栅极驱动...

日期：2023-10-10

功率 MOSFET、其电气特性定义和使用说明

本应用笔记介绍了功率 MOSFET、其电气特性定义和使用说明。介绍了功率MOSFET的破坏机...

日期：2023-10-10

MOSFET/IGBT 驱动器理论与应用

MOSFET 和 IGBT 技术　　由于不存在少数载流子传输，MOSFET 可以以更高的频率进行开关...

日期：2023-10-08

功率 MOSFET、其电气特性定义

本应用笔记介绍了功率 MOSFET、其电气特性定义和使用说明。介绍了功率MOSFET的破坏机...

日期：2023-09-20

适用于热插拔应用的具有最低导通电阻的高效 MOSFET

热插拔是指将电子设备插入带电电源；这可能会损坏相关电子设备。电容性负载可能会产生...

日期：2023-09-15

所有高压 MOSFET 和 IGBT SPICE 模型都一样吗？

如果有足够的时间，大多数工程师都有正确的意图。作为一名工程师，您多久想要了解电路...

日期：2023-09-05

功率 MOSFET 数据表参数定义

本应用笔记介绍了 IXYS 功率 MOSFET 数据表中使用的参数定义。本文件介绍了基本的额定...

日期：2023-08-30

高电流 MOSFET：电源设计的必需品

在当今的汽车和工业电子领域，低压 MOSFET (<100 V) 对高功率的需求不断增加。电机驱动等应用现在需要千...

日期：2023-08-11

高性能 SiC MOSFET 技术装置设计理念

合适的设备概念应允许一定的设计自由度，以便适应各种任务概况的需求，而无需对处理和...

日期：2023-08-08

MOSFET 的符号

BJT 仍在使用，但晶体管领域目前由 MOSFET 主导。这些是场效应晶体管 (FET)，在导电控制端子（称为栅极）和...

日期：2023-07-21

基于 MOSFET 的电平转换

双向电平转换必须在两个方向上进行。最简单的方法使用 MOSFET，如图 3 所示，并在应用...

日期：2023-06-20

使用 MOSFET 作为开关的示例

在此电路布置中，增强型 N 沟道 MOSFET 用于将简单的灯“打开”和“关闭”（也可以是 ...

日期：2023-06-20

如何利用1200 V EliteSiC MOSFET 模块，打造充电更快的车载充电器？

早期的电动汽车 (EV) 由于难以存储足够的能量来驱动强大的主驱电机，行驶里程较为有限。为了延长行驶里程，...

日期：2023-06-14

MOSFET 对构成简单的 SPDT 开关

使用 n 和 p 沟道 MOSFET，您可以轻松实现单刀双掷 (SPDT) 开关来隔离电路的一部分，...

日期：2023-06-13