BJT 仍在使用，但
晶体管领域目前由
MOSFET 主导。这些是场效应晶体管 (FET)，在导电控制
端子（称为栅极）和连接其他两个端子（称为源极和漏极）的半导体结构之间具有绝缘层。
“MOS”代表“金属氧化物半导体”，但不幸的是，这现在不准确，因为典型 MOSFET 的栅极是由多晶硅而不是金属制成的。
然而，这些器件有一个更准确的术语：IGFET，代表绝缘栅场效应晶体管。但根据我的经验，这个名字几乎从未被使用过。
NMOS 与 PMOS
与 BJT 一样，MOSFET 分为两大类：N 沟道或 P 沟道。讨论 MOSFET 的一种简便方法是将 N 沟道器件称为 NMOS，将 P 沟道器件称为 PMOS。
MOSFET，版本 1。左侧的端子是栅极，箭头标识源极，其余端子是漏极。
MOSFET 的物理结构产生了称为体的第四个端子。在大多数情况下，body 终端可以忽略，因为它的影响可以忽略不计。
上面的版本 1 符号反映了这样一个事实：主体端子通常与电路操作无关。然而，在身体连接很重要的情况下，我们有这些符号：
MOSFET，版本 2。体端子位于源极和漏极之间。
如果由于某种原因您不喜欢版本 1 符号，那么您很幸运：
MOSFET，版本 3。
在这种情况下，您没有区分源极和漏极的箭头。在版本 3 符号中，源是与主体端子有连接的端子。如果您碰巧知道在实际电路中 FET 体经常与源极短路，那么这一点很容易记住。
如果您在版本 1 和版本 3 之间来回切换，请小心箭头。在版本1中，指向栅极的箭头表示PMOS；在版本 3 中，指向栅极的箭头表示 NMOS。
MOSFET 符号爱好者会很高兴知道还有另一种方式来表示这些元件。当我们分析或设计 CMOS 电路时，我们通常将 MOSFET 视为电压控制的开/关
开关，而没有具体提及源极端子和漏极端子。在这种情况下，NMOS和PMOS之间的区别在于PMOS由逻辑低电压激活，而NMOS由逻辑高电压激活。
因此，我们可以使用以下简化符号：
MOSFET，版本 4。圆圈表示“低电平有效”输入行为，区分 PMOS 和 NMOS。
其他类型的晶体管
IGBT
什么是IGBT？
IGBT（绝缘栅双极晶体管）将 MOSFET 特性和 BJT 特性合并到单个器件中。它主要用于开关应用。
下面显示的符号似乎是更常见的版本；如果您想查看替代表示形式，请参阅有关IGBT的 AAC 教科书页面。
N沟道IGBT。请注意垂直空白区域如何表明栅极端子与器件的其余部分绝缘。
JFET
什么是 JFET？
JFET（结型场效应晶体管）类似于 MOSFET，但栅极不绝缘。如今，这些设备已经很少见了。如果您知道 JFET 是晶体管类型的现代应用，请在评论中告诉我们。
JFET
达林顿对
达林顿对组合了两个 BJT，使得个 BJT 的发射极电流成为第二个 BJT 的基极电流。结果是非常高的电流增益。
NPN 达林顿对
达林顿对被认为是共集电极
放大器概念的延伸。
