深入剖析 GaN HEMT 器件：结构、工作模式与应用前景
在半导体技术飞速发展的今天，GaN HEMT 器件凭借其独特的性能优势，在电子领域展现出了巨大的应用潜力。继...
日期：2025-09-03
U8726AHE 氮化镓电源 IC 集成高压 E - GaN 和启动电路优势
随着半导体技术的不断发展，芯片尺寸持续缩小。在这一过程中，一个关键问题逐渐凸显：...
日期：2025-08-20
基于 TI GaN FET 的 10kW 单相串式逆变器设计方案
随着全球对能源可持续性和能源安全的关注度不断提升，储能系统的需求在住宅太阳能装置...
日期：2025-07-16
纳芯微高压半桥驱动NSD2622N：为E-mode GaN量身打造高可靠性、高集成度方案
纳芯微发布专为增强型GaN设计的高压半桥驱动芯片NSD2622N，该芯片集成正负压稳压电路，支持自举供电，具备...
日期：2025-06-04
双向 GaN 开关：单级 BDS 转换器的转换
例如，典型的交流/直流电动汽车车载充电器（OBC）实施了一个初始的功率因数校正（PFC...
日期：2025-05-23
基于GAN的高频LLC共振转换器的设计注意事项
凭借具有更高功率，较小尺寸和较高效率的清晰趋势，高频LLC谐振转换器是行业中孤立的D...
日期：2025-04-02
为 GaN FET 提供更高的短路能力
足够的故障检测响应时间约为 2 μs [2]，该时间决定了电源开关所需的短路耐压时间 （S...
日期：2025-04-02
使用GAN的汽车降压/反向提升转换器可高效48 V发电
在设计汽车转换器时，尺寸，成本和可靠性是关键因素。为了满足这些标准，最简单的双向...
日期：2025-03-26
Nexperia推出了四个40V双向GAN功率晶体管。
使用5V门驱动器，可用的最大电阻值为1.2、4.8、8或12MΩ，请参见下表 - 操作最高为125°C。包装是VQFN16，W...
日期：2025-03-19
GAN ADVANTS EV电源设计
电动车设计师的目的是使电动汽车更轻，更自动，并且通过提供更多功率，降低系统尺寸并...
日期：2025-02-28
GAN晶体管电路的布局注意事项
由于GAN的高开关速度，寄生电感 与老化功率MOSFET相比，在较高的频率下使用GAN的能...
日期：2025-02-25
高效 GaN 设计的七个步骤
步骤 1 – 栅极驱动器选择 驱动 GaN 增强型高电子迁移率晶体管 (E-HEMT) 的栅极与...
日期：2025-01-06
利用 SiC 和 GaN 电源满足 AI 需求
第一代 AI PSU：采用相同架构，功率更高，约 5.5–8 kW，50 V输出，277 V交流，单相 ...
日期：2025-01-02
光伏优化器使用 eGaN FET 和专用 ASIC 控制器
第一种配置是微型逆变器，它为安装中的每个面板使用逆变器，确保每个面板都能发挥其全...
日期：2024-11-27
使用双向 GaN 开关实现单级功率转换
传统两级与单级转换 在传统的两级功率转换系统中，功率因数校正（PFC）和DC/DC转换...
日期：2024-11-27
通过自动动态开关测试研究 p-GaN HEMT 上的电应力
STS8200 用于动态测试三个 p-GaN HEMT 器件。这些标有 A/B/C 的 650 V 额定器件来自不同制造商，典型室温导...
日期：2024-11-22
检查垂直 GaN 功率 IC
结合 GaN IC 的横向和垂直几何形状 结合两全其美是垂直 GaN 功率 IC 开发背后的座...
日期：2024-11-15
p-GaN HEMT功率器件漏栅过压失效机理分析
漏极过电压应力 在开关转换期间，功率转换器中可能会出现漏极过电压。有多种因素会...
日期：2024-10-31
用于广泛电源管理的 BiGaN 开关
保护 USB 端口、不同电源供电的设备的开关电路以及高侧负载开关免受浪涌影响，都依赖...
日期：2024-10-21
增强 E 模式 GaNFET 的可靠性和兼容性
共源共栅和 E 模式 GaNFET 的演变和可靠性 共源共栅 GaN 的结构如图 1 (a) 所示，...
日期：2024-10-09
GaN 和 SiC 转换器的控制器 HIL 测试
带有 GaN 和 SiC 元件的转换器的高开关频率对用于控制系统硬件在环测试的实时模拟器提...
日期：2024-09-14
氮化镓(GaN)是什么
氮化镓（Gallium Nitride，简称 GaN）是一种宽禁带半导体材料，具有优异的电气性能和热性能，广泛应用于电...
日期：2024-08-23
在 GaN FET 中集成电流感应的优势
集成与外部电流检测电阻 在电力电子应用中，例如反激式转换器或功率因数校正 ( PFC...
日期：2024-08-22
使用 GaN IC 的离线电源大容量电容器优化
通用电源适配器的经验法则是，当设计考虑因素低至 90 VAC 时，直流总线电容值（单位为 F）应选择为输出功率...
日期：2024-07-11
凹槽栅极技术革新 E-Mode GaN 晶体管
GaN 是一种二元化合物，由一个镓原子（III 族，Z = 31）和一个氮原子（V 族，Z = 7）...
日期：2024-06-21
采用高度集成的半桥 GaN IC 的 400W LLC转换器
400W 转换器拓扑 此类设备（例如 Apple Studio Display 中的设备）的 400 W PSU 通...
日期：2024-06-06
集成电路 p 栅极 GaN HEMT 中的栅极过压稳定性
功率转换器中使用的氮化镓 (GaN) 器件具有多种优势，包括更高的效率、功率密度和高频...
日期：2024-06-04
Qorvo - 从4个到256个通道，GaN技术如何创新5G基站系统的紧凑设计
本文将探讨5G功率放大器（PA）设计进步所带来的挑战与机遇。同时，我们还将分享针对当前趋势的见解，并提供...
日期：2024-05-30
基于 GaN 的 FET 如何实现高性能电机逆变器
推动更高效的能源利用、更严格的监管要求以及冷却器操作的技术优势都支持了最近减少电...
日期：2024-05-23
如何改善GaN HEMT 功率器件的短路耐受时间
电机驱动器运行的恶劣环境可能会因逆变器击穿和电机绕组绝缘击穿等故障情况而导致过流...
日期：2024-05-08
