纳芯微发布专为增强型GaN设计的高压半桥驱动芯片NSD2622N，该芯片集成正负压稳压电路，支持自举供电，具备高dv/dt抗扰能力和强驱动能力，可以显著简化GaN驱动电路设计，提升系统可靠性并降低系统成本。
应用背景
近年来，氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)凭借高开关频率、低开关损耗的显著优势，能够大幅提升电源系统的功率密度，明显优化能效表现，降低整体系统成本，在人工智能(AI)数据中心电源、微型逆变器、车载充电机(OBC)等高压大功率领域得到日益广泛的应用。
然而，GaN器件在实际应用中仍面临诸多挑战。以增强型氮化镓(E-mode GaN)器件为例，由于导通阈值较低，在高压大功率场景，特别是硬开关工作模式下，如果驱动电路设计不当，高频、高速开关过程中极易因串扰而导致误导通现象。与此同时，适配的驱动电路设计也比较复杂，这无疑提高了GaN器件的应用门槛。
为了加速GaN应用普及，国内外头部GaN厂家近年来推出了一些集成
驱动IC的GaN功率芯片，特别是MOSFET-LIKE类型的GaN功率芯片，其封装形式可与Si MOSFET兼容，在一定程度上降低了GaN驱动电路的设计难度。但集成驱动的GaN芯片仍存在很多局限性：一方面难以满足一些客户对于差异化产品设计的需求；另一方面，在多管并联、双向开关等应用场景中并不适用，所以在诸多应用场景中仍需要分立GaN器件及相应的驱动电路。对此，纳芯微针对E-mode GaN开发专用驱动芯片NSD2622N，致力于为高压大功率场景下的GaN应用，提供高性能、高可靠性且具备成本竞争力的驱动解决方案。
产品特性 NSD2622N是一款专为E-mode GaN设计的高压半桥驱动芯片，该芯片内部集成了电压调节电路，可以生成5V~6.5V可配置的稳定正压，从而实现对GaN器件的可靠驱动；内部还集成了电荷泵电路，可以生成-2.5V的固定负压用于GaN可靠关断。该芯片由于将正负电源稳压电路集成到内部，因此可以支持高边输出采用自举供电方式。
NSD2622N采用纳芯微成熟可靠的电容隔离技术，高边驱动可以支持-700V到+700V耐压，可承受200V/ns的SW电压变化速率，同时高低边输出具有低传输延时和较小的传输延时匹配特性，完全满足GaN高频、高速开关的需求。此外，NSD2622N高低边输出均能提供2A/-4A峰值驱动电流，足以应对各类GaN应用对驱动速度的要求，并且可用于GaN并联使用场景。NSD2622N内部还集成一颗5V固定输出的LDO，可以为数字隔离器等电路供电，以用于需要隔离的应用场景。
NSD2622N详细参数： SW耐压范围：-700V~700V
SW dv/dt抑制能力大于200V/ns
支持5V~15V宽范围供电
5V~6.5V可调输出正压
-2.5V内置输出负压
2A/4A峰值驱动电流
典型值10ns输入脉宽
典型值38ns输入输出传输延时
典型值5ns脉宽畸变
典型值6.5ns上升时间（1nF 负载）
典型值6.5ns下降时间（1nF 负载）
典型值20ns内置死区
高边输出支持自举供电
内置LDO固定5V输出用于数字隔离器供电
具备欠压保护、过温保护
工作环境温度范围：-40℃~125℃
