直接总线式DRAM
Direct Rambus DRAM（直接总线式DRAM）可以说是原来的Rambus SDRAM的升级版，在今后个人计算机的广泛应用...
日期：2008-11-21
DDR SDRAM的写操作
DDR SDRAM的写操作如图所示。仍然是与同步DRAM相同，瞪着ACT指令的发出而发出WRITE指令。但DDR－SDRAM数据...
日期：2008-11-21
DDR－SDRAM的操作
DDR SDRAM的读操作如图所示。发出ACT指令后，只经过tRCD时间后发出所要进行的READ指令，这一流程是与同步DR...
日期：2008-11-21
DDR－SDRAM的信号
DDR SDRAM的信号例如图1所示，在这里，作为4M×16位×4块结构的256M位的DDR SDRAM，我们以ELPIDA公司（NEO...
日期：2008-11-21
同步DRAM的写操作
同步DRAM的写操作如图所示，与读操作相同，都是与时钟上升沿同步地赋予指令及数据的。 图 SDRAM的写操作...
日期：2008-11-21
同步DRAM的读操作
同步DRAM的读操作示例如图所示，所有操作都是以时钟的上升沿为基准进行的，与前面的状态迁移图结合相信会更...
日期：2008-11-21
SDRAM的模式寄存器设置（MRS）
SDRAM具有模式寄存器，通过该模式寄存器，可以切换SDRAM的操作模式。模式寄存器的设置...
日期：2008-11-21
SDRAM指令
SDRAM也具有RAS、CAS及WE信号，其名称与异步DRAM相同，功能上也存在相似的地方，但其...
日期：2008-11-21
同步DRAM的信号
同步DRAM的信号类型如图1所示，其中存在时钟（CLK）、时钟使能（CKE）以及存储块（Ban...
日期：2008-11-21
DRAM的EDO模式
在快速翻页模式中，如果CAS无效，则将停止DQn的驱动，数据将随之消减。取代这种方法，...
日期：2008-11-21
DRAM的快速翻页模式
在页模式中，因为当CAS有效时是不能改变地址的，所以DRAM控制器需要锁存数据后使CAS无...
日期：2008-11-21
DRAM的半字节（nibble）模式
半字节模式的DRAM如图1所示，在DRAM的输出缓冲器部位设计了4字（word）锁存器。通过这...
日期：2008-11-21
DRAM的静态列模式
静态列模式操作的概况如图所示。在－般的存取操作中，如果通过CASE指定地址，那么就只...
日期：2008-11-21
DRAM的快速访问模式
观察对DRAM单元的访问方式即可明白，在多路复用地址以及读操作之前必须进行预充电，以及利用读出放大器进行...
日期：2008-11-21
DRAM的自刷新
这是为适应低功耗等需求而设计的模式。由于DRAM的刷新电路一般都设计在外部，因而即使...
日期：2008-11-21
DRAM的隐藏刷新
一般地，DRAM控制器内部都设计成在一定周期内要请求DRAM刷新操作，协调该请求与来自主...
日期：2008-11-21
DRAM的CAS先于RAS有效刷新
在惟RAS有效刷新的操作中，DRAM控制器必须知道个别的DRAM具有多少刷新地址，这是非常...
日期：2008-11-21
DRAM的惟RAS有效刷新
正如在DRAM的存取操作中所说明的，如果进行DRAM的读操作，则因为读出放大器的输出被返...
日期：2008-11-21
DRAM的读／写操作
DRAM基本的存取操作如图所示，结合RAS及OAS的有效，分割为行地址和列地址赋予地址。进行读操作时，如果在这...
日期：2008-11-21
DRAM的基本信号
DRAM从最初时期的产品至今所利用的信号类型如图所示。DRAM的主导产品已经逐步移向与时钟同步的同步DRAM及Di...
日期：2008-11-21
DRAM的读出放大器的连接与读出
在利用读出放大器结束放大的过程中，读出放大器的输出与数据线相连接，如图所示。读出放大器的输出被连接，...
日期：2008-11-21
DRAM的数据的提取与放大
只要完成了预充电，预充电开关就处于OFF状态。之后，选择数据线，一旦FET为ON，特定单元的电容器与寄生电容...
日期：2008-11-21
DRAM的数据线的预充电
图表示可以说是读取DRAM之前的准备状态，数据线与预充电电源相接，将数据线的电压设置为预充电电压，数据线...
日期：2008-11-21
DRAM内部电路
DRAM单元部分的布线如图所示，具有用于单元选择的字线，并且各个单元与数据线相连。数据线通过列选择开关或...
日期：2008-11-21
DRAM的电容器的设计
因为电容器的容量不能无限小，所以既要进行小型化处理又要保持其容量是DRAM高集成化的重点。基本电介质的介...
日期：2008-11-21
DRAM的软错误
如果为了提高DRAM的存储容量而提高集成度，那么当然要减少连接到FET的电容器的容量，所以用于存储的电荷量...
日期：2008-11-21
DRAM的单元结构刷新
当DRAM的电容器存储了电荷时，对于FET来说，形成反偏置状态，必然会发生漏电流，图1中图示了这一点。因为在...
日期：2008-11-21
DRAM单元结构的概况
图对DRAM单元结构进行了较为详细的描述，这是平面式的最基本的结构，在1MB的DRAM占据主导地位之前一般都是...
日期：2008-11-21
DRAM的单元结构
DRAM单元的基本结构如图所示，负责数据存储的是图中的电容器，根据是否存储电荷来判断数据的“0”、“1”。...
日期：2008-11-21
同步双端口SRAM的读／写搡作
图中表示了存取操作中的一个例子，该示例中的操作是管道模式（FT／Pipe引脚为高电平）...
日期：2008-11-21
