DRAM基本的存取操作如图所示，结合RAS及OAS的有效，分割为行地址和列地址赋予地址。进行读操作时，如果在这里DE有效，则DQn引脚被驱动，读出数据。另一方面，进行写操作时，在CAS有效之前WE有效，然后DQn上设置数据，如果OAS有效，则在其下降沿写入数据。
图 DRAM的存取操作
这是所谓的初期写的一般方法，除此之外，还具有称为延迟写的方法，此方法在RAS及OAS有效的状态下设置（由于瓦已经无效，因而DQn不能被驱动）数据，在WE的下降沿写人数据。这些方法都是在进行读－修改－写操作时方便的方法，所谓的读－修改－写操作也就是从存储器读出数据后、更改部分比特位、然后写回到同一地址的操作。
其过程就是RAS、OAS有效之后OE有效，一旦读出数据即将其提取，然后OE无效，在DQn上设置新的数据，再使WE有效。RAS及OAS保持原状态也可以。与连续生成读周期和写周期相比，数据修改操作是效率更高的好办法。
欢迎转载，信息来源维库电子市场网（www.dzsc.com）
免责声明: 凡注明来源本网的所有作品，均为本网合法拥有版权或有权使用的作品，欢迎转载，注明出处。非本网作品均来自互联网，转载目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责。
