同步DRAM的写操作

　　同步DRAM的写操作如图所示，与读操作相同，都是与时钟上升沿同步地赋予指令及数据的。

　　图 SDRAM的写操作

　　（1）行地址与存储块编号指定
 
　　向处于IDLE状态的同步DRAM发出ACTV指令，同时赋予行地址和存储块编号，据此，激活相应的存储块，使之处于能够接受下－写指令的状态。
 
　　（2）发出写指令
 
　　发出ACTV指令后，只要经过tRCD时间的等待，就可以处于能接受下一指令的状态，与列地址、写入数据一起发出WRITE指令。与读操作时不同的是，不必在意延迟时间，可与指令同时赋予数据。

　　（3）数据的连续写入
 
　　当进行突发写操作时，可在此之后连续赋予数据。只要连续赋予模式寄存器的突发长度（BL）所指定的长度，写人目的地的地址就可在DRAM内部自动更新，进行突发写操作。图中表示了BL＝4时的操作。

　　欢迎转载，信息来源维库电子市场网（www.dzsc.com）