DRAM的半字节(nibble)模式

时间:2008-11-21

  半字节模式的DRAM如图1所示,在DRAM的输出缓冲器部位设计了4字(word)锁存器。通过这个锁存器,对于起始地址的砝字数据,可以不赋予列地址而进行迮续的输出。只要认为这正好类似于管线突发式SRAM的突发传输模式即可,图2表示半字节模式DRAM的操作。

  图1  半字节DRAM的思路

  图2  半字节模式

  由于地址的顺序(相当于管道突发式SRAM的突发序列)是固定的以及只能处理4字数据从而存在较大的局限等原因,使得该模式没有像页模式/快速翻页模式那样得到普及。
 
  现在具有该模式的DRAM也几乎不存在了。

  欢迎转载,信息来源维库电子市场网(www.dzsc.com


  
上一篇:智能卡在晶圆片上的芯片测试
下一篇:智能卡的切割晶圆片

免责声明: 凡注明来源本网的所有作品,均为本网合法拥有版权或有权使用的作品,欢迎转载,注明出处。非本网作品均来自互联网,转载目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责。

相关技术资料