同步类型的双端口SRAM
作为同步双端口SRAM，我们以CY7C09199为例进行说明。CY7C09199与CY7C019相同，都是128...
日期：2008-11-21
双端口SRAM中断功能
在利用双端口进行多个处理器间通信的情况下，为了传递开始处理请求以及结束的通知等信...
日期：2008-11-21
同步管道突发式SRAM的基本操作
同步管道突发式SRAM的操作基本上都是与时钟的上升沿同步进行的，因此能够看到时钟沿的...
日期：2008-11-21
同步管道突发式SRAM的各种信号
CY7Cl347B所具有的各种信号及其意义如下所述，基本上各种信号都是在时钟（CLK）信号的...
日期：2008-11-21
双端口SRAM的BUSY状态
双端口SRAM虽然可以同时进行来自两个端口的存取操作，但不可以在同时对同一地址进行存取操作（发生冲突）。...
日期：2008-11-20
双端口SRAM的写操作
图表示了双端口SRAM写操作的波形，从图形可知，也是同异步SRAM相同的操作。在该示例中，OE仍然无效，先确定...
日期：2008-11-20
双端□SRAM的读操作
图表示了双端口SRAM读操作的波形。与异步SRAM相同，确定地址后，在CE0为低电平、CE1为高电平时器件被选择，...
日期：2008-11-20
异步类型的双端口SRAM
作为异步类型的双端口SRAM，我们以Cypress公司的CY7C019为例，CY7C019的内部框图如图所示。 图 CY7C019...
日期：2008-11-20
SRAM存储器主板的操作确认
对已完成的SRAM存储器主板进行操作。在MSDOS模式下启动，利用DEBUG指令，从D0000h开始试着进行数据的读／写...
日期：2008-11-20
SRAM存储器主板的基本设计
1. 地址缓冲器 在提供给存储器的SA0～SA15地址中加人缓冲器。缓冲器利用74LS244也可以，但因为741LS245...
日期：2008-11-20
SRAM主板的制作
为了实际使用SRAM，我们尝试制作附加了与ISA总线（PC104）相连接的电池各份的异步SRAM主板。 本次制作...
日期：2008-11-20
同步突发式SRAM的突发读操作
同步突发式SRAM的突发读操作如图所示，与单一读操作相同，因为突发读操作也是在赋予地址的下一个时钟且ADV...
日期：2008-11-20
同步突发式SRAM的单一读操作
同步突发SRAM的单一读操作如图所示，与同步管道突发式SRAM不同的是，数据是在ADSP有效的下一个时钟中输出的...
日期：2008-11-20
实际的同步突发式SRAM
我们将Cypress公司的CY7C1345B作为同步突发式SRAM的实例，它具有与CY7C1347B相同的128K×36位的结构，其内...
日期：2008-11-20
同步突发式SRAM
同步突发式SRAM的内部框图如图所示，它与同步管道突发式SRAM基本相同，不同之处只是在输出缓冲器中没有配置...
日期：2008-11-20
实际的同步管道突发式SRAM
下面我们看一下实际的同步管道突发式SRAM，这次我们作为实例的产晶是Cypress公司的128K×36位的CY7C1347B。...
日期：2008-11-20
同步管道突发式SRAM
同步管道突发式SRAM大体的结构如图所示。这种类型的SRAM需要考虑适应CPU的突发传输模式，图中“突发控制”...
日期：2008-11-20
同步SRAM的意义
同步SRAM意如字义，是与时钟同步运行的SRAM。由于地址的提取以及数据的输出全部是与时...
日期：2008-11-20
异步SRAM的基本操作
异步SRAM正如其名称，不是与特定的时钟信号同步运行，而是根据输人信号的状态运行的。因为没有信号表示读取...
日期：2008-11-20
异步SRAM的信号
异步SRAM是128K×8位结构的1M位SRAM，我们以CY62l28为例进行说明。引脚配置如图所示，这是非常标准的配置，...
日期：2008-11-20
双端口SRAM
普通的存储器器件为单端口，也就是数据的输入输出只利用一个端口，设计了两个输入输出端口的就是双端口SRAM...
日期：2008-11-20
同步SRAM
同步SRAM是与时钟同步运行的意思，一般应用于作为高速缓冲存储器使用的、称为同步管道突发式（Synchronous ...
日期：2008-11-20
异步SRAM
最一般的就是具备地址总线及数据总线的SRAM，代表性的如图所示。根据用途，可以化分为两种，一种是需要低功...
日期：2008-11-20
UV-EPROM的编程禁止（Program Inhibit）操作
即使处于加载了VPP电压的状态下，一旦CE为高电平，EPROM也将成为非选择状态，这样的状态是编程禁止模式。使...
日期：2008-11-18
UV-EPROM的编程验证（Program Verify）操作
这是用于编程时检查写入是否正确的读出模式。在类型较旧的EPROM中，是通过单一的长脉冲进行写人操作的，但...
日期：2008-11-18
UV-EPROM的编程（Programming）操作
这是写入操作，但并不只是单纯处于这种状态即可完成操作。由于规定了额定电压以及额定时间，因此编程操作是...
日期：2008-11-18
欧司朗光电推出CERAMOS和OSLUX摄影闪光灯LED
欧司朗光电半导体公司推出新一代CERAMOS和OSLUXLED闪光灯产品，亮度比原有产品提高了两倍。为了达到更高像...
日期：2008-11-13
OKI开始批量生产内置SRAM的耳机放大器芯片ML2650
冲电气工业株式会社(OKI)报道，冲电气于今年10月开始批量生产能降低手机等用电池驱动...
日期：2008-10-22
EDA典型单元电路的SRAM和ROM主要区别
SRAM和ROM的主要区别在于RAM描述上有读和写两种操作，而且在读写上对时间有较严格的要求。 【例】 用VHD...
日期：2008-10-11
Ramtron推出高速和低电压的F-RAM存储器
RamtronInternationalCorporation宣布推出新型F-RAM系列中的首款产品，具有高速读/写性能、低电压工作和可...
日期：2008-09-25
