图表示了双端口SRAM写操作的波形，从图形可知，也是同异步SRAM相同的操作。在该示例中，OE仍然无效，先确定R／W信号后，通过CE信号进行写入操作。图中CE0、CE1虽然同时发生变化，但也可以其中一个信号保持有效，另一个信号有效或者无效都行，可以在无效的时序中进行写人操作。
图 双端口SRAM的写周期
首先让CE有效，然后通过R／W进行写入的方法当然也是可以的，在这种情况下，是在R/W的上升沿进行写入操作的。
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