这是为适应低功耗等需求而设计的模式。由于DRAM的刷新电路一般都设计在外部，因而即使在待机状态下，为了进行刷新操作也需要运行DRAM控制器电路。
对此，在DRAM内部嵌人刷新计时器以及刷新地址生成电路，使DRAM自身可以自动地进行刷新操作，这就是自刷新操作。
自刷新的操作如图所示。初与CAS先于RAS有效刷新操作相同，但如果将RAS及CAS保持有效状态持续100μs后，DRAM内部的自刷新电路开始运行，然后自动进行刷新操作。如果RAS及OAS无效而开始存取操作，则自刷新操作停止，恢复为－般的操作模式。
图 自刷新操作
由于在普通的操作中，一般没有停止超过100μs的存取操作的情况，所以自刷新操作毕竟是在待机状态下所利用的模式，能够较低地控制损耗电流，因而对于电池各份等非常有利。
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