IRL6372TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SO-8
晶体管极性：N沟道
通道数量：2频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：8.1 A
Rds上漏源导通电阻：17.9毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：12 V
Qg-血浆甲醛：11 nC
Pd-功率耗散：2 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：双
高度：1.75毫米
长度：4.9毫米
晶体管类型：2 N沟道
宽度：3.9毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRL6372TRPBF SP001569038
单位重量：540毫克
应用领域
电池供电的直流电动机逆变器MOSFET
系统/负载开关
用于电池的充放电开关
特征
行业标准的SO-8封装
符合RoHS标准，不含铅，溴化物和卤素
MSL1，消费者资格认证
好处
多厂商兼容性
环保
可靠性更高
最大绝对额定值
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
VDS |
Drain-to-Source Voltage |
30 |
V |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
±12 |
|
|
ID @ TA = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V |
8.1 |
A |
|
ID @ TA = 70°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V |
6.5 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current CD |
65 |
|
|
PD @TA = 25°C |
Power Dissipation @ |
2.0 |
W |
|
PD @TA = 70°C |
Power Dissipation @ |
1.3 |
|
|
|
Linear Derating Factor |
0.02 |
W/°C |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
|
|
Parameter |
Typ. |
Max. |
Units |
|
RqJL |
Junction-to-Drain Lead © |
––– |
20 |
°C/W |
|
RqJA |
Junction-to-Ambient CT |
––– |
62.5 |
|
Orderable part number |
Package Type |
Standard Pack |
Note |
|
|
Form |
Quantity |
|
||
|
IRL6372PBF |
SO-8 |
Tube/Bulk |
95 |
|
|
IRL6372TRPBF |
SO-8 |
Tape and Reel |
4000 |
|
IRL6372TRPBF
IR
SOP-8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
