IRF6785MTRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：DirectFET-MZ
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：200 V
Id-连续直流电流：19 A
Rds漏源导通电阻：85毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：26 nC
最小工作温度：-40 C
最大工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：57 W
通道模式：增强
商标名：DirectFET
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：0.7毫米
长度：6.35毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：5.05毫米
商标：Infineon / IR
下降时间：14 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：8.6 ns
工厂包装数量：4800
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：7.2 ns
典型起始延迟时间：6.2 ns
零件号别名：IRF6785MTRPBF SP001562032
特征
最新的MOSFET硅技术
为D类音频放大器应用优化的关键参数
低RDS（on）可提高效率
低Qg可获得更好的THD和更高的效率
低Qrr可提供更好的THD和更低的EMI
低封装杂散电感，可减少振铃并降低EMI
可以为8负载的半桥配置放大器中的每个通道提供高达250W的功率
兼容双面散热
与现有的表面贴装技术兼容
符合RoHS标准，不含铅或溴化物
无铅（符合260°C回流焊标准）
描述
该数字音频MSFET专为D类音频放大器应用而设计。该MOSFET利用最新的处理技术来实现每硅面积的低导通电阻。此外，优化了栅极电荷，体二极管反向恢复和内部栅极电阻，以改善关键的D类音频放大器性能因素，例如效率，THD和EMI。
IRF6785MPbF器件采用DirectFETTM封装技术。与传统的引线键合SOIC封装相比，DirectFETTM封装技术提供了更低的寄生电感和电阻。较低的电感通过减少伴随快速电流瞬变的电压振铃来提高EMI性能。当遵循应用说明AN-1035的制造方法和工艺时，DirectFETTM封装与电力应用，PCB组装设备和气相，红外或对流焊接技术中使用的现有布局几何形状兼容。 DirectFETTM封装还允许双面冷却，以最大限度地提高电源系统中的热传递，从而改善热阻和功耗。这些特性相结合，使该MOSFET成为适用于D类音频放大器应用的高效，坚固和可靠的器件。