IRF8313TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SO-8
晶体管极性：N沟道
通道数量：2频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：9.7 A
Rds上漏源导通电阻：21.6毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：6 nC
Pd-功率耗散：2 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：双
高度：1.75毫米
长度：4.9毫米
晶体管类型：2 N沟道
宽度：3.9毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF8313TRPBF SP001577640
单位重量：540毫克
应用领域
•负载开关
•DC / DC转换
好处
•低栅极电荷和低RDS（on）
•全面表征雪崩电压和电流
•20V VGS最大。 门额定值
•100％经过RG测试
•无铅（符合260°C回流焊标准）
•符合RoHS（无卤素）
描述
IRF8313PbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术
整合到了行业标准的SO-8封装中。 IRF8313PbF
已针对同步降压操作中至关重要的参数
（包括Rds（on）和栅极电荷）进行了优化，
以减少导通和开关损耗。 减少的总损耗使
该产品成为为笔记本电脑和Netcom应用的
最新一代处理器供电的高效DC-DC转换器的理想选择。
最大绝对额定值
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
VDS |
Drain-to-Source Voltage |
30 |
V |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
±20 |
|
|
ID @ TA = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
9.7 |
A |
|
ID @ TA = 70°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
8.1 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current G) |
81 |
|
|
PD @TA = 25°C |
Power Dissipation |
2.0 |
W |
|
PD @TA = 70°C |
Power Dissipation |
1.3 |
|
|
|
Linear Derating Factor |
0.016 |
W/°C |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 175 |
°C |
IRF8313TRPBF
IR
SOP-8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
