IRLR3410TRLPBF MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：100 V
Id-连续直流电流：15 A
Rds上漏源导通电阻：155毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：16 V
Qg-血浆甲醛：22.7 nC
Pd-功率耗散：52 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：6.22毫米
商标：Infineon Technologies
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：3000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRLR3410TRLPBF SP001576994
单位重量：4 g
特征
•逻辑电平门驱动
•超低导通电阻
•表面贴装（IRLR3410）
•直引线（IRLU3410）
•先进的工艺技术
•快速切换
•完全雪崩等级
•无铅
描述
来自国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的处理技术，
以使每个硅面积的导通电阻尽可能低。 这种优势与HEXFET
功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设
计相结合，为设计人员提供了一种非常有效的器件，
可广泛用于各种应用中。
D-PAK设计用于使用气相，红外或波峰焊技术进行表面安装。
直引线版本（IRFU系列）用于通孔安装应用。
在典型的表面贴装应用中，功耗可能高达1.5瓦。
最大绝对额定值
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
17 |
A |
|
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
12 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current CDCT |
60 |
|
|
PD @TC = 25°C |
Power Dissipation |
79 |
W |
|
|
Linear Derating Factor |
0.53 |
W/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 16 |
V |
|
EAS |
Single Pulse Avalanche Energy0CT |
150 |
mJ |
|
IAR |
Avalanche CurrentCDCT |
9.0 |
A |
|
EAR |
Repetitive Avalanche EnergyCDCT |
7.9 |
mJ |
|
dv/dt |
Peak Diode Recovery dv/dt CT |
5.0 |
V/ns |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 175 |
°C |
|
|
Soldering Temperature, for 10 seconds |
300 (1.6mm from case ) |
IRLR3410TRLPBF
IR
TO-252
无铅环保型
直插式
卷带编带包装
