IRF8707TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SO-8
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：11 A
Rds上漏源导通电阻：17.5 mOhms
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-萘甲酸：6.2 nC
Pd-功率耗散：2.5 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.75毫米
长度：4.9毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：3.9毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF8707TRPBF SP001555780
单位重量：540毫克
应用领域
•用于笔记本处理器电源的同步降压转换器的控制MOSFET
•用于隔离的控制MOSFET
网络系统中的DC-DC转换器
好处
•极低的栅极电荷
•VDS在4.5V VGS时非常低的RDS（on）
•超低门阻抗
•完全表征的雪崩电压和电流
•20V VGS最大。 门额定值
•100％经过Rg测试
•无铅
描述
IRF8707PbF将最新的HEXFET功率MOSFET
硅技术整合到了行业标准的SO-8封装中。
IRF8707PbF已针对同步降压操作中至关
重要的参数（包括Rds（on）和栅极电荷）
进行了优化，以减少导通和开关损耗。
减少的总损耗使该产品成为为笔记本电脑和
Netcom应用的最新一代处理器供电的高效
DC-DC转换器的理想选择。
最大绝对额定值
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
VDS |
Drain-to-Source Voltage |
30 |
V |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
|
|
ID @ TA = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
11 |
A |
|
ID @ TA = 70°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
9.1 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current CD |
88 |
|
|
PD @TA = 25°C |
Power Dissipation |
2.5 |
W |
|
PD @TA = 70°C |
Power Dissipation |
1.6 |
|
|
|
Linear Derating Factor |
0.02 |
W/°C |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
IRF8707TRPBF
IR
SOP-8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
