产品详情

IRLL3303TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市凯斯宇科技有限公司

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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SOT-223-4
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：6.5 A
Rds上漏源导通电阻：45毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：16 V
Vgs th-栅源极阈值电压：1 V
Qg-血浆甲醛：34 nC
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：2.1 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.6毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：3.5毫米
商标：Infineon Technologies
正向跨导-加速度：5.5 S
下降时间：28 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：22 ns
工厂包装数量：2500
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：33 ns
典型起始延迟时间：7.2 ns
零件号别名：IRLL3303TRPBF SP001567242
单位重量：112毫克

特征

•表面贴装
•动态dv / dt评级
•逻辑级门驱动
•快速切换
•轻松并行
•先进的工艺技术
•超低导通电阻
•无铅
描述
国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的处理技术，以实现极低的每硅面积导通电阻。 这项优势与HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种非常有效和可靠的器件，可广泛用于各种应用中。
SOT-223封装专为使用气相，红外或波峰焊技术进行表面安装而设计。 与其他SOT或SOIC封装一样，其独特的封装设计可轻松实现自动拾取和放置，但由于散热片的凸片尺寸较大，因此具有改进的热性能的额外优势。 在典型的表面贴装应用中，功耗可能为1.0W。
最大绝对额定值

Parameter

Max.

Units

ID @ TA = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V**

6.5

 

A

ID @ TA = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V*

4.6

ID @ TA = 70°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V*

3.7

IDM

Pulsed Drain Current CD

37

PD @TA = 25°C

Power Dissipation (PCB Mount)**

2.1

W

PD @TA = 25°C

Power Dissipation (PCB Mount)*

1.0

W

 

Linear Derating Factor (PCB Mount)*

8.3

mW/°C

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 16

V

EAS

Single Pulse Avalanche Energy<I

140

mJ

IAR

Avalanche CurrentCD

4.6

A

EAR

Repetitive Avalanche EnergyCD

0.10

mJ

dv/dt

Peak Diode Recovery dv/dt ®

1.3

V/ns

TJ, TSTG

Junction and Storage Temperature Range

-55  to + 150

°C

型号/规格

IRLL3303TRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

SOT-223

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装