IRLL3303TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:SOT-223-4
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续直流电流:6.5 A
Rds上漏源导通电阻:45毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:16 V
Vgs th-栅源极阈值电压:1 V
Qg-血浆甲醛:34 nC
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:2.1 W
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:1.6毫米
长度:6.5毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:3.5毫米
商标:Infineon Technologies
正向跨导-加速度:5.5 S
下降时间:28 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:22 ns
工厂包装数量:2500
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:33 ns
典型起始延迟时间:7.2 ns
零件号别名:IRLL3303TRPBF SP001567242
单位重量:112毫克

特征

•表面贴装
•动态dv / dt评级
•逻辑级门驱动
•快速切换
•轻松并行
•先进的工艺技术
•超低导通电阻
•无铅
描述
国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的处理技术,以实现极低的每硅面积导通电阻。 这项优势与HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员提供了一种非常有效和可靠的器件,可广泛用于各种应用中。
SOT-223封装专为使用气相,红外或波峰焊技术进行表面安装而设计。 与其他SOT或SOIC封装一样,其独特的封装设计可轻松实现自动拾取和放置,但由于散热片的凸片尺寸较大,因此具有改进的热性能的额外优势。 在典型的表面贴装应用中,功耗可能为1.0W。
最大绝对额定值

Parameter

Max.

Units

ID @ TA = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V**

6.5

 

A

ID @ TA = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V*

4.6

ID @ TA = 70°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V*

3.7

IDM

Pulsed Drain Current CD

37

PD @TA = 25°C

Power Dissipation (PCB Mount)**

2.1

W

PD @TA = 25°C

Power Dissipation (PCB Mount)*

1.0

W

 

Linear Derating Factor (PCB Mount)*

8.3

mW/°C

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 16

V

EAS

Single Pulse Avalanche Energy<I

140

mJ

IAR

Avalanche CurrentCD

4.6

A

EAR

Repetitive Avalanche EnergyCD

0.10

mJ

dv/dt

Peak Diode Recovery dv/dt ®

1.3

V/ns

TJ, TSTG

Junction and Storage Temperature Range

-55  to + 150

°C

型号/规格

IRLL3303TRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

SOT-223

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装