IRLML0100TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:SOT-23-3
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:100 V
Id-连续直流电流:1.6 A
Rds上漏源导通电阻:235毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:16 V
Vgs th-栅源极阈值电压:1 V
Qg-萘甲酸:2.5 nC
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:1.3 W
通道模式:增强
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:1.1毫米
长度:2.9毫米
MOSFET晶体管类型:1 N沟道
宽度:1.3毫米
商标:Infineon Technologies
正向跨导-加速度:5.7 s
下降时间:3.6 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:2.1 ns
工厂包装数量:3000
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:9 ns
零件号别名:IRLML0100TRPBF SP001568612
单位重量:8毫克

应用程序
负载/系统切换
特征
行业标准的引脚排列
与现有的表面贴装技术兼容
符合RoHS标准,不含铅,溴化物和卤素
MSL1
好处
多厂商兼容性
易于制造
环保的
可靠性更高
最大绝对额定值

Symbol

Parameter

Max.

Units

VDS

Drain-Source Voltage

100

V

ID @ TA = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

1.6

 

A

ID @ TA = 70°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

1.3

IDM

Pulsed Drain Current

7.0

PD @TA = 25°C

Maximum Power Dissipation

1.3

 

W

PD @TA = 70°C

Maximum Power Dissipation

0.8

 

Linear Derating Factor

0.01

W/°C

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 16

V

TJ, TSTG

Junction and Storage Temperature Range

-55 to + 150

°C

热阻

Symbol

Parameter

Typ.

Max.

Units

RqJA

Junction-to-Ambient CT

–––

100

°C/W

RqJA

Junction-to-Ambient (t<10s) ©

–––

99

型号/规格

IRLML0100TRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

SOT-23

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装