AUIRF3205Z MOSFET ▊进口原装现货▊

地区:广东 深圳
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:通孔
封装/箱体:TO-220-3
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:55 V
Id-连续直流电流:110 A
Rds漏源导通电阻:6.5毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-萘甲酸:76 nC
最小工作温度:-55 C
Pd-功率耗散:170 W
通道模式:增强
资质:AEC-Q101
封装:Tube
配置:单
高度:15.65毫米
长度:10毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:4.4毫米
商标:Infineon / IR
下降时间:67 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:95 ns
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:45 ns
典型中断时间:18 ns
零件号别名:AUIRF3205Z SP001518518
单位重量:6 g

特征
先进的工艺技术
超低导通电阻
175°C工作温度
快速切换
重复雪崩允许最大Tjmax
无铅,符合RoHS
汽车合格*
描述
这款HEXFET®功率MOSFET专为汽车应用而设计,

利用最新的处理技术,使每个硅面积的导通电阻极低。

 此设计的其他功能是175°C的结温,快速的开关

速度和改进的重复雪崩额定值。 这些功能相结合,

使该设计成为一种非常有效且可靠的器件,可用于汽车应用以及各种其他应用。
最大绝对额定值

Symbol

Parameter

Max.

Units

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)

110

 

 

A

ID @ TC = 100°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)

78

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited)

75

IDM

Pulsed Drain Current 

440

PD @TC = 25°C

Maximum Power Dissipation

170

W

 

Linear Derating Factor

1.1

W/°C

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 20

V

EAS

Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited)

180

mJ

EAS (tested)

Single Pulse Avalanche Energy Tested Value

250

IAR

Avalanche Current 

See Fig.15,16, 12a, 12b

A

EAR

Repetitive Avalanche Energy

mJ

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55 to + 175

 

°C

 

Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)

300

 

Mounting torque, 6-32 or M3 screw

10 lbf•in (1.1N•m)

型号/规格

AUIRF3205Z

品牌/商标

IR

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装