IRFP9240PBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Vishay
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-247AC-3
晶体管极性：P-Channel
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：200 V
Id-连续直流电流：12 A
漏源导通电阻：500 mOhms
Vgs-克罗地亚-源极电压：10 V
Vgs th-栅源极阈值电压：2 V
Qg-血浆甲醛：44 nC
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：150 W
通道模式：增强
封装：Tube
配置：单
系列：IRFP
晶体管类型：1 P通道
商标：Vishay Semiconductors
正向跨导-加速度：4.2 S
下降时间：38 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：43 ns
工厂包装数量：500
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：39 ns
典型起始延迟时间：14 ns
单位重量：38 g
特征
•动态dV / dt额定值
•重复雪崩额定
•P通道
•隔离的中央安装孔
•快速切换
•轻松并行
•简单的驱动器要求
•符合RoHS指令2002/95 / EC
描述

Vishay的第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关，

坚固耐用的器件设计，低导通电阻和成本效益的最佳组合。
TO-247AC封装是商业工业应用的首选，在商业应用中，

较高的功率水平导致无法使用TO-220AB器件。

TO-247AC与之相似，但由于其隔离的安装孔而优于早期

的TO-218封装。它还提供了更大的引脚间爬电距离，

以满足大多数安全规范的要求。

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C = 25 °C, unless otherwise noted)
PARAMETER			SYMBOL	LIMIT	UNIT
Drain-Source Voltage			VDS	- 200	V
Gate-Source Voltage			VGS	± 20
Continuous Drain Current	V_GS at - 10 V	T_C = 25 °C	I_D	- 12	A
		T_C = 100 °C		- 7.5
Pulsed Drain Currenta			IDM	- 48
Linear Derating Factor				1.2	W/°C
Single Pulse Avalanche Energyb			EAS	790	mJ
Repetitive Avalanche Currenta			IAR	- 12	A
Repetitive Avalanche Energya			EAR	15	mJ
Maximum Power Dissipation	T_C = 25 °C		P_D	150	W
Peak Diode Recovery dV/dtc			dV/dt	- 5.0	V/ns
Operating Junction and Storage Temperature Range			TJ, Tstg	- 55 to + 150	°C
Soldering Recommendations (Peak Temperature)	for 10 s			300d
Mounting Torque	6-32 or M3 screw			10	lbf · in
				1.1	N · m

型号/规格

IRFP9240PBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-247

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装