AUIRFS3004 MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：40 V
Id-连续直流电流：340 A
Rds漏源导通电阻：1.4毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-萘甲酸：160 nC
最大工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：380 W
资质：AEC-Q101
封装：Tube
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：6.22毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
零件号别名：AUIRFS3004 SP001522180
单位重量：4 g

特征
先进的工艺技术
超低导通电阻
175°C工作温度
快速切换
重复雪崩允许最大Tjmax
无铅，符合RoHS
汽车合格*
描述
这款HEXFET®功率MOSFET专为汽车应用而设计，

利用最新的处理技术，使每个硅面积的导通电阻极低。

此设计的其他功能是175°C的结温，快速的开关

速度和改进的重复雪崩额定值。这些功能相结合，

使该设计成为一种非常有效且可靠的器件，

可用于汽车应用以及各种其他应用。
最大绝对额定值

Symbol	Parameter	Max.	Units
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V (Silicon Limited)	340	A
I_D @ T_C = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V (Silicon Limited)	240
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V (Package Limited)	195
IDM	Pulsed Drain Current ‚	1310
P_D @T_C = 25°C	Maximum Power Dissipation	380	W
	Linear Derating Factor	2.5	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
dv/dt	Peak Diode Recovery „	4.4	V/ns
EAS	Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited) ƒ	300	mJ
IAR	Avalanche Current ‚	See Fig.14,15, 22a, 22b	A
EAR	Repetitive Avalanche Energy ‚	See Fig.14,15, 22a, 22b	mJ
T_J TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)	300	°C

型号/规格

AUIRFS3004

品牌/商标

IR

封装形式

TO-252

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装