IRF3808PBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-220-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：75 V
Id-连续直流电流：140 A
Rds上漏源导通电阻：7毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-萘甲酸：150 nC
Pd-功率耗散：330 W
封装：Tube
配置：单
高度：15.65毫米
长度：10毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：4.4毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF3808PBF SP001563250
单位重量：6 g

典型应用
•工业电机驱动
好处
•先进的工艺技术
•超低导通电阻
•动态dv / dt评级
•175°C工作温度
•快速切换
•重复雪崩允许最大Tjmax
•无铅
描述
这款先进的平面条纹HEXFET®功率MOSFET利用最新的处理技术，

使每个硅面积的导通电阻极低。该HEXFET功率MOSFET的其他

特点是结温为175°C，RJC低，开关速度快，并且重复雪崩额

定值得到改善。这种结合使该设计成为在多种应用中使用的极

其有效和可靠的选择。
最大绝对额定值

	Parameter	Max.	Units
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	140®	A
I_D @ T_C = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	97®
IDM	Pulsed Drain Current CD	550
P_D @T_C = 25°C	Power Dissipation	330	W
	Linear Derating Factor	2.2	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
EAS	Single Pulse Avalanche Energy0	430	mJ
IAR	Avalanche CurrentCD	82	A
EAR	Repetitive Avalanche Energy<v	See Fig.12a, 12b, 15, 16	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt CT	5.5	V/ns
T_J TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds	300 (1.6mm from case )	°C
	Mounting Torque, 6-32 or M3 screw	10 lbf•in (1.1N•m)

型号/规格

IRF3808PBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装