IRGP4750DPBF IGBT晶体管▊进口原装现货▊

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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:IGBT晶体管
RoHS:详细信息
技术:Si
封装/箱体:TO-247AC-3
安装风格:通孔
配置:单
集电极—发射极MAX电压VCEO:650 V
集电极—射极饱和电压:1.7 V
正极/发射极MAX电压:20 V
在25 C的连续集电极电流:70 A
Pd-功率耗散:273 W
IGBT晶体管MIN工作温度:-40 C
IGBT晶体管MAX工作温度:+ 175 C
系列:TRENCHSTOP
封装:Tube
高度:20.7毫米
长度:15.87毫米
宽度:5.31毫米
商标:Infineon Technologies
正极—射极漏泄电流:100 nA
产品类型:IGBT晶体管
工厂包装数量:25
子类别:IGBT
商标名:TRENCHSTOP
零件号别名:SP001546176
单位重量:426毫克

应用领域
工业电机驱动
UPS
太阳能逆变器
  焊接
特征
低VCE(ON)和开关损耗
5.5μs短路SOA
方形RBSOA
至多结温175°C
正VCE(ON)温度系数
无铅,符合RoHs
优点
广泛应用中的高效率
坚固的瞬态性能
可靠性更高
并联运行中出色的电流共享
环保的
额定值

 

Parameter

Max.

Units

VCES

Collector-to-Emitter Voltage

650

V

IC @ TC = 25°C

Continuous Collector Current

70

 

 

 

A

IC @ TC = 100°C

Continuous Collector Current

50

ICM

Pulse Collector Current, VGE = 15V

105

ILM

Clamped Inductive Load Current, VGE = 20V 

140

IF @ TC = 25°C

Diode Continuous Forward Current

80

IF @ TC = 100°C

Diode Continuous Forward Current

50

IFM

Diode Maximum Forward Current

140

VGE

Continuous Gate-to-Emitter Voltage

±20

V

PD @ TC = 25°C

Maximum Power Dissipation

273

W

PD @ TC = 100°C

Maximum Power Dissipation

136

TJ

TSTG

Operating Junction and Storage Temperature Range

-40 to +175

 

C

 

Soldering Temperature, for 10 sec.

300 (0.063 in. (1.6mm) from case)

 

Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw

10 lbf·in (1.1 N·m)

型号/规格

IRGP4750DPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-247

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装