IRFB4137PBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-220-3
晶体管极性：N沟道
MOSFET通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：300 V
Id-连续直流电流：38 A
Rds上漏源导通电阻：56毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：5 V
Qg-萘甲酸：125 nC
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：341 W
通道模式：增强
封装：Tube
配置：单
高度：15.65毫米
长度：10毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：4.4毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-预期：45 S
下降时间：20 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：23 ns
工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：34 ns
典型中断时间：18 ns
零件号别名：IRFB4137PBF SP001554580
单位重量：6 g
应用
SMPS中的高效同步整流
不间断电源
高速电源开关
硬开关和高频电路
好处
改进了Gate，雪崩和动态dV / dt坚固性
完全表征的电容和雪崩SOA
增强体二极管dV / dt和dI / dt能力
无铅，符合RoHS标准

最大绝对额定值

	Parameter	Max.	Units
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	38	A
I_D @ T_C = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	27
IDM	Pulsed Drain Current	152
P_D @T_C = 25°C	Maximum Power Dissipation	341	W
	Linear Derating Factor	2.3	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dtƒ	8.9	V/ns
T_J TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)	300	°C
	Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw	10 lbf·in (1.1 N·m)

型号/规格

IRFB4137PBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装