图文详情
产品属性
相关推荐
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:通孔
封装/箱体:TO-220-3
晶体管极性:P-Channel
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:100 V
Id-连续直流电流:40 A
Rds上漏源导通电阻:60毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-萘甲酸:120 nC
Pd-功率耗散:200 W
封装:Tube
配置:单
MOSFET高度:15.65毫米
MOSFET长度:10毫米
晶体管类型:1 P通道
宽度:4.4毫米
商标:Infineon Technologies
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFET
零件号别名:IRF5210PBF SP001559642
单位重量:6 g
特征
•先进的工艺技术
•超低导通电阻
•动态dv / dt评级
•175°C工作温度
•快速切换
•P通道
•完全雪崩等级
•无铅
描述
国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的处理技术,
以实现极低的每硅面积导通电阻。 这种好处与HEXFET
功率M0SFET的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相
结合,以止痛为设计者提供了一种极其有效和可靠的
器件,可广泛用于各种应用中。
T0-220封装普遍适用于所有商业工业应用,其功耗水
平约为50瓦。 T0-220的低热阻和低封装成本使其在
整个行业中得到广泛认可。
最大绝对额定值
|
Parameter |
Max. |
Units |
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ -10V |
-40 |
A |
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ -10V |
-29 |
|
IDM |
Pulsed Drain Current CD |
-140 |
|
PD @TC = 25°C |
Power Dissipation |
200 |
W |
|
Linear Derating Factor |
1.3 |
W/°C |
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
士 20 |
V |
EAS |
Single Pulse Avalanche Energy0 |
780 |
mJ |
IAR |
Avalanche CurrentCD |
-21 |
A |
EAR |
Repetitive Avalanche EnergyCD |
20 |
mJ |
dv/dt |
Peak Diode Recovery dv/dt a> |
-5.0 |
V/ns |
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 175 |
°C |
|
Soldering Temperature, for 10 seconds |
300 (1.6mm from case ) |
|
|
Mounting torque, 6-32 or M3 screw |
10 lbf•in (1.1N•m) |
|
IRF5210PBF
IR
TO-220
无铅环保型
直插式
卷带编带包装