IRF1407STRLPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：75 V
Id-连续直流电流：100 A
Rds漏源导通电阻：7.8毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-萘甲酸：160 nC
Pd-功率耗散：200 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：6.22毫米
商标：Infineon Technologies
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：800
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF1407STRLPBF SP001564712
单位重量：4 g
好处
先进的工艺技术
超低导通电阻
动态dv / dt额定值
175°C工作温度
快速切换
重复雪崩允许最大Tjmax
无铅

描述
国际整流器公司（International Rectifier）的高级HEXFET®功率MOSFET利用先进的处理技术来实现每硅面积的极低导通电阻。这项优势与HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其有效和可靠的器件，可广泛用于各种应用中。
D2Pak是一种表面安装电源封装，能够容纳高达HEX-4的裸片尺寸。它在任何现有的表面贴装封装中提供最高的功率能力和的导通电阻。 D2Pak的内部连接电阻低，因此适合大电流应用，在典型的表面安装应用中，其耗散功率高达2.0W。
通孔版本（IRF1407L）可用于薄型应用。

Absolute Maximum Ratings
Symbol	Parameter	Max.	Units
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V ˆ	100†	A
I_D @ T_C = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V ˆ	70†
IDM	Pulsed Drain Current ˆ	520
P_D @T_A = 25°C	Maximum Power Dissipation	3.8	W
P_D @T_C = 25°C	Maximum Power Dissipation	200	W
	Linear Derating Factor	1.3	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
EAS	Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited) ‚ˆ	390	mJ
IAR	Avalanche Current	See Fig.15,16, 12a, 12b	A
EAR	Repetitive Avalanche Energy ‡	See Fig.15,16, 12a, 12b	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dtƒˆ	4.6	V/ns
T_J TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)	300	°C
	Mounting torque, 6-32 or M3 screw	10 lbf•in (1.1N•m)

型号/规格

IRF1407STRLPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-263

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装